सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिंगल क्रिस्टल मटेरियलमध्ये मोठ्या बँड गॅप रुंदी (~Si 3 वेळा), उच्च थर्मल चालकता (~Si 3.3 पट किंवा GaAs 10 पट), उच्च इलेक्ट्रॉन संपृक्तता स्थलांतर दर (~Si 2.5 पट), उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड (~Si 10 वेळा किंवा GaAs 5 वेळा) आणि इतर उत्कृष्ट वैशिष्ट्ये.
उच्च तापमान, उच्च दाब, उच्च वारंवारता, उच्च पॉवर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि एरोस्पेस, लष्करी, अणुऊर्जा इत्यादीसारख्या अत्यंत पर्यावरणीय अनुप्रयोगांच्या क्षेत्रात SiC उपकरणांचे अपरिवर्तनीय फायदे आहेत, जे व्यावहारिकदृष्ट्या पारंपारिक सेमीकंडक्टर मटेरियल उपकरणांच्या दोषांची पूर्तता करतात. ऍप्लिकेशन्स, आणि हळूहळू पॉवर सेमीकंडक्टरचा मुख्य प्रवाह बनत आहेत.
4H-SiC सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तपशील
| आयटम项目 | तपशील参数 | |
| पॉलीटाइप | 4H -SiC | 6H- SiC |
| व्यासाचा | 2 इंच |3 इंच |4 इंच |6 इंच | 2 इंच |3 इंच |4 इंच |6 इंच |
| जाडी | 330 μm ~ 350 μm | 330 μm ~ 350 μm |
| वाहकता | एन - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेटिंग | एन - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेटिंग |
| डोपंट | N2 ( नायट्रोजन ) V ( व्हॅनॅडियम ) | N2 ( नायट्रोजन ) V ( व्हॅनॅडियम ) |
| अभिमुखता | अक्षावर <0001> | अक्षावर <0001> |
| प्रतिरोधकता | 0.015 ~ 0.03 ओम-सेमी | 0.02 ~ 0.1 ओम-सेमी |
| मायक्रोपाईप घनता (MPD) | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 |
| TTV | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm |
| धनुष्य / ताना | ≤25 μm | ≤25 μm |
| पृष्ठभाग | डीएसपी/एसएसपी | डीएसपी/एसएसपी |
| ग्रेड | उत्पादन / संशोधन श्रेणी | उत्पादन / संशोधन श्रेणी |
| क्रिस्टल स्टॅकिंग अनुक्रम | ABCB | ABCABC |
| जाळी पॅरामीटर | a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| उदा/eV(बँड-गॅप) | 3.27 eV | 3.02 eV |
| ε (डायलेक्ट्रिक स्थिरांक) | ९.६ | ९.६६ |
| अपवर्तन निर्देशांक | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
6H-SiC सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तपशील
| आयटम项目 | तपशील参数 |
| पॉलीटाइप | 6H-SiC |
| व्यासाचा | 4 इंच |6 इंच |
| जाडी | 350μm ~ 450μm |
| वाहकता | एन - प्रकार / अर्ध-इन्सुलेटिंग |
| डोपंट | N2 ( नायट्रोजन ) |
| अभिमुखता | <0001> 4°± 0.5° बंद |
| प्रतिरोधकता | 0.02 ~ 0.1 ओम-सेमी |
| मायक्रोपाईप घनता (MPD) | ≤ 10/cm2 |
| TTV | ≤ 15 μm |
| धनुष्य / ताना | ≤25 μm |
| पृष्ठभाग | सी फेस: सीएमपी, एपि-रेडी |
| ग्रेड | संशोधन श्रेणी |
