सेमिसेरा चेSiC पॅडल्सकमीतकमी थर्मल विस्तारासाठी अभियंता केले जाते, प्रक्रियांमध्ये स्थिरता आणि अचूकता प्रदान करते जेथे आयामी अचूकता महत्त्वपूर्ण असते. हे त्यांना जेथे अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनवतेवेफर्सवेफर बोट त्याच्या स्ट्रक्चरल अखंडता राखते, सातत्यपूर्ण कार्यप्रदर्शन सुनिश्चित करते म्हणून वारंवार गरम करणे आणि थंड करणे चक्रांच्या अधीन आहे.
सेमिसेरा समाविष्ट करणेसिलिकॉन कार्बाइड प्रसार पॅडल्सतुमच्या उत्पादन लाइनमध्ये तुमच्या प्रक्रियेची विश्वासार्हता वाढेल, त्यांच्या उत्कृष्ट थर्मल आणि रासायनिक गुणधर्मांमुळे. हे पॅडल्स प्रसरण, ऑक्सिडेशन आणि ॲनिलिंग प्रक्रियेसाठी योग्य आहेत, प्रत्येक टप्प्यावर वेफर्स काळजीपूर्वक आणि अचूकपणे हाताळले जातात याची खात्री करतात.
सेमिसेरा च्या केंद्रस्थानी नाविन्य आहेSiC पॅडलडिझाइन हे पॅडल्स विद्यमान सेमीकंडक्टर उपकरणांमध्ये अखंडपणे बसण्यासाठी तयार केले आहेत, वर्धित हाताळणी कार्यक्षमता प्रदान करतात. हलकी रचना आणि एर्गोनॉमिक डिझाइन केवळ वेफर वाहतूक सुधारत नाही तर ऑपरेशनल डाउनटाइम देखील कमी करते, परिणामी उत्पादन सुव्यवस्थित होते.
| रीक्रिस्टलाइज्ड सिलिकॉन कार्बाइडचे भौतिक गुणधर्म | |
| मालमत्ता | ठराविक मूल्य |
| कार्यरत तापमान (°C) | 1600°C (ऑक्सिजनसह), 1700°C (वातावरण कमी करणारे) |
| SiC सामग्री | > 99.96% |
| मोफत Si सामग्री | < ०.१% |
| मोठ्या प्रमाणात घनता | 2.60-2.70 ग्रॅम/सेमी3 |
| उघड सच्छिद्रता | < 16% |
| संक्षेप शक्ती | > 600 MPa |
| थंड झुकण्याची ताकद | 80-90 MPa (20°C) |
| गरम झुकण्याची ताकद | 90-100 MPa (1400°C) |
| थर्मल विस्तार @1500°C | ४.७० १०-6/°से |
| थर्मल चालकता @1200°C | 23 W/m•K |
| लवचिक मापांक | 240 GPa |
| थर्मल शॉक प्रतिकार | अत्यंत चांगले |
