सिलिकॉन कार्बाइड वेफर उत्पादन प्रक्रिया

सिलिकॉन कार्बाइड वेफरउच्च शुद्धता सिलिकॉन पावडर आणि उच्च शुद्धता कार्बन पावडर कच्चा माल म्हणून बनविलेले आहे, आणि सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल भौतिक वाष्प हस्तांतरण पद्धती (PVT) द्वारे उगवले जाते, आणि त्यावर प्रक्रिया केली जातेसिलिकॉन कार्बाइड वेफर.

① कच्चा माल संश्लेषण.उच्च शुद्धता सिलिकॉन पावडर आणि उच्च शुद्धता कार्बन पावडर एका विशिष्ट गुणोत्तरानुसार मिसळले गेले आणि सिलिकॉन कार्बाइडचे कण 2,000 ℃ वरील उच्च तापमानात संश्लेषित केले गेले.क्रशिंग, साफसफाई आणि इतर प्रक्रिया केल्यानंतर, उच्च शुद्धता सिलिकॉन कार्बाइड पावडर कच्चा माल तयार केला जातो जो क्रिस्टल वाढीच्या गरजा पूर्ण करतो.

② क्रिस्टल वाढ.उच्च शुद्धता असलेल्या SIC पावडरचा कच्चा माल म्हणून वापर करून, स्वयं-विकसित क्रिस्टल ग्रोथ फर्नेसचा वापर करून भौतिक वाष्प हस्तांतरण (PVT) पद्धतीने क्रिस्टल उगवले गेले.

③ पिंड प्रक्रिया.प्राप्त सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल इंगॉट एक्स-रे सिंगल क्रिस्टल ओरिएंटेटरद्वारे निर्देशित केले गेले, नंतर ग्राउंड आणि रोल केले गेले आणि प्रमाणित व्यास सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टलमध्ये प्रक्रिया केली गेली.

④ क्रिस्टल कटिंग.मल्टी-लाइन कटिंग उपकरणे वापरुन, सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल्स 1 मिमी पेक्षा जास्त जाडी नसलेल्या पातळ शीटमध्ये कापले जातात.

⑤ चिप ग्राइंडिंग.वेगवेगळ्या कणांच्या आकाराच्या डायमंड ग्राइंडिंग फ्लुइड्सद्वारे वेफरला इच्छित सपाटपणा आणि खडबडीत ग्राउंड केले जाते.

⑥ चिप पॉलिशिंग.पृष्ठभागास नुकसान न होता पॉलिश केलेले सिलिकॉन कार्बाइड यांत्रिक पॉलिशिंग आणि रासायनिक यांत्रिक पॉलिशिंगद्वारे प्राप्त केले गेले.

⑦ चिप ओळख.ऑप्टिकल मायक्रोस्कोप, एक्स-रे डिफ्रॅक्टोमीटर, अणू शक्ती सूक्ष्मदर्शक, संपर्क नसलेले प्रतिरोधक परीक्षक, पृष्ठभाग सपाटपणा परीक्षक, पृष्ठभाग दोष सर्वसमावेशक परीक्षक आणि मायक्रोट्यूब्यूल घनता, क्रिस्टल गुणवत्ता, पृष्ठभागाचा खडबडीतपणा, प्रतिरोधकता, वक्रता, वक्रता, पृष्ठभाग शोधण्यासाठी इतर साधने आणि उपकरणे वापरा. जाडी बदल, पृष्ठभाग स्क्रॅच आणि सिलिकॉन कार्बाइड वेफरचे इतर मापदंड.यानुसार, चिपची गुणवत्ता पातळी निश्चित केली जाते.

⑧ चिप साफ करणे.पॉलिशिंग शीटवरील अवशिष्ट पॉलिशिंग द्रव आणि पृष्ठभागावरील इतर घाण काढून टाकण्यासाठी सिलिकॉन कार्बाइड पॉलिशिंग शीट क्लिनिंग एजंट आणि शुद्ध पाण्याने साफ केली जाते आणि नंतर अति-उच्च शुद्धता नायट्रोजन आणि ड्रायिंग मशीनद्वारे वेफर उडवले जाते आणि कोरडे केले जाते;वेफर एका सुपर-क्लीन चेंबरमध्ये एका स्वच्छ शीट बॉक्समध्ये कॅप्स्युलेट केले जाते जेणेकरुन डाउनस्ट्रीम वापरण्यासाठी तयार सिलिकॉन कार्बाइड वेफर बनते.

चिपचा आकार जितका मोठा असेल तितके संबंधित क्रिस्टल वाढ आणि प्रक्रिया तंत्रज्ञान अधिक कठीण आणि डाउनस्ट्रीम डिव्हाइसेसची उत्पादन कार्यक्षमता जितकी जास्त असेल तितकी युनिटची किंमत कमी होईल.