सेमीकंडक्टर सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्क एक्सप्लोर करणे: कार्यप्रदर्शन फायदे आणि अनुप्रयोग संभावना

आजच्या इलेक्ट्रॉनिक तंत्रज्ञानाच्या क्षेत्रात, सेमीकंडक्टर सामग्री महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.त्यांपैकी, सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वाइड बँड गॅप सेमीकंडक्टर मटेरियल म्हणून, त्याच्या उत्कृष्ट कार्यक्षमतेच्या फायद्यांसह, जसे की उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड, उच्च संपृक्तता गती, उच्च थर्मल चालकता, इत्यादी, हळूहळू संशोधक आणि अभियंत्यांचे लक्ष केंद्रीत होत आहे.सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्क, त्याचा एक महत्त्वाचा भाग म्हणून, उत्तम अनुप्रयोग क्षमता दर्शविली आहे.

一、epitaxial डिस्क कामगिरी: पूर्ण फायदे
1. अल्ट्रा-हाय ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड: पारंपारिक सिलिकॉन सामग्रीच्या तुलनेत, सिलिकॉन कार्बाइडचे ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड 10 पट जास्त आहे.याचा अर्थ असा की समान व्होल्टेज परिस्थितीत, सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्क वापरणारी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे उच्च प्रवाहांना तोंड देऊ शकतात, ज्यामुळे उच्च-व्होल्टेज, उच्च-फ्रिक्वेंसी, उच्च-शक्ती इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे तयार होतात.
2. उच्च-गती संपृक्तता गती: सिलिकॉन कार्बाइडची संपृक्तता गती सिलिकॉनच्या 2 पट जास्त आहे.उच्च तापमान आणि उच्च वेगाने कार्यरत, सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्क अधिक चांगले कार्य करते, जे इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांची स्थिरता आणि विश्वासार्हता लक्षणीयरीत्या सुधारते.
3. उच्च कार्यक्षमता थर्मल चालकता: सिलिकॉन कार्बाइडची थर्मल चालकता सिलिकॉनपेक्षा 3 पट जास्त आहे.हे वैशिष्ट्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांना सतत उच्च-शक्तीच्या ऑपरेशन दरम्यान उष्णता अधिक चांगल्या प्रकारे विसर्जित करण्यास अनुमती देते, ज्यामुळे अतिउष्णता टाळता येते आणि डिव्हाइसची सुरक्षा सुधारते.
4. उत्कृष्ट रासायनिक स्थिरता: उच्च तापमान, उच्च दाब आणि मजबूत किरणोत्सर्ग यासारख्या अत्यंत वातावरणात, सिलिकॉन कार्बाइडचे कार्यप्रदर्शन पूर्वीप्रमाणेच स्थिर आहे.हे वैशिष्ट्य सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्कला जटिल वातावरणात उत्कृष्ट कार्यप्रदर्शन राखण्यासाठी सक्षम करते.
二、उत्पादन प्रक्रिया: काळजीपूर्वक कोरलेली
SIC epitaxial डिस्कच्या निर्मितीसाठी मुख्य प्रक्रियांमध्ये भौतिक वाष्प निक्षेप (PVD), रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) आणि एपिटॅक्सियल वाढ यांचा समावेश होतो.या प्रत्येक प्रक्रियेची स्वतःची वैशिष्ट्ये आहेत आणि सर्वोत्तम परिणाम प्राप्त करण्यासाठी विविध पॅरामीटर्सचे अचूक नियंत्रण आवश्यक आहे.
1. PVD प्रक्रिया: बाष्पीभवन किंवा थुंकणे आणि इतर पद्धतींद्वारे, SiC लक्ष्य फिल्म तयार करण्यासाठी सब्सट्रेटवर जमा केले जाते.या पद्धतीने तयार केलेल्या फिल्ममध्ये उच्च शुद्धता आणि चांगली स्फटिकता असते, परंतु उत्पादनाची गती तुलनेने कमी असते.
2. CVD प्रक्रिया: उच्च तापमानात सिलिकॉन कार्बाइड स्त्रोत वायू क्रॅक करून, ते पातळ फिल्म तयार करण्यासाठी सब्सट्रेटवर जमा केले जाते.या पद्धतीने तयार केलेल्या चित्रपटाची जाडी आणि एकसमानता नियंत्रित करता येते, परंतु शुद्धता आणि स्फटिकता कमी असते.
3. एपिटॅक्सियल ग्रोथ: रासायनिक वाफ जमा करण्याच्या पद्धतीद्वारे मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन किंवा इतर मोनोक्रिस्टलाइन सामग्रीवर SiC एपिटॅक्सियल लेयरची वाढ.या पद्धतीने तयार केलेल्या एपिटॅक्सियल लेयरमध्ये सब्सट्रेट सामग्रीसह चांगले जुळते आणि उत्कृष्ट कार्यक्षमता असते, परंतु त्याची किंमत तुलनेने जास्त असते.
三、ॲप्लिकेशन प्रॉस्पेक्ट: भविष्यात प्रकाश टाका
पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स तंत्रज्ञानाच्या सतत विकासासह आणि उच्च कार्यक्षमता आणि उच्च विश्वासार्हतेच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांची वाढती मागणी, सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्कला सेमीकंडक्टर उपकरण निर्मितीमध्ये विस्तृत अनुप्रयोगाची शक्यता आहे.उच्च-फ्रिक्वेंसी हाय-पॉवर सेमीकंडक्टर उपकरणे, जसे की पॉवर इलेक्ट्रॉनिक स्विच, इन्व्हर्टर, रेक्टिफायर्स, इत्यादींच्या निर्मितीमध्ये याचा मोठ्या प्रमाणावर वापर केला जातो. शिवाय, हे सौर सेल, एलईडी आणि इतर क्षेत्रांमध्ये देखील मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाते.
त्याच्या अद्वितीय कार्यक्षमतेच्या फायद्यांसह आणि उत्पादन प्रक्रियेच्या सतत सुधारणेसह, सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल डिस्क हळूहळू सेमीकंडक्टर क्षेत्रात आपली मोठी क्षमता दर्शवत आहे.विज्ञान आणि तंत्रज्ञानाच्या भविष्यात ते अधिक महत्त्वाची भूमिका बजावेल असा विश्वास ठेवण्याचे कारण आहे.