आमची कंपनी पुरवतेSiC कोटिंगसीव्हीडी पद्धतीने ग्रेफाइट, सिरॅमिक्स आणि इतर सामग्रीच्या पृष्ठभागावर प्रक्रिया सेवा, जेणेकरून कार्बन आणि सिलिकॉन असलेले विशेष वायू उच्च तापमानावर प्रतिक्रिया देऊन उच्च-शुद्धतेचे सिक रेणू मिळवू शकतील, जे लेपित सामग्रीच्या पृष्ठभागावर जमा केले जाऊ शकतात.SiC संरक्षणात्मक थरepitaxy बॅरल प्रकार हाय pnotic साठी.
मुख्य वैशिष्ट्ये:
1 .उच्च शुद्धता SiC लेपित ग्रेफाइट
2. उत्कृष्ट उष्णता प्रतिरोधकता आणि थर्मल एकरूपता
3. ठीक आहेSiC क्रिस्टल लेपितगुळगुळीत पृष्ठभागासाठी
4. रासायनिक साफसफाईच्या विरूद्ध उच्च टिकाऊपणा
चे मुख्य तपशीलCVD-SIC कोटिंग
| SiC-CVD गुणधर्म | ||
| क्रिस्टल स्ट्रक्चर | FCC β फेज | |
| घनता | g/cm ³ | ३.२१ |
| कडकपणा | विकर्स कडकपणा | २५०० |
| धान्य आकार | μm | २~१० |
| रासायनिक शुद्धता | % | ९९.९९९९५ |
| उष्णता क्षमता | J·kg-1 ·K-1 | ६४० |
| उदात्तीकरण तापमान | ℃ | २७०० |
| फेलेक्सरल सामर्थ्य | MPa (RT 4-पॉइंट) | ४१५ |
| तरुणांचे मॉड्यूलस | Gpa (4pt बेंड, 1300℃) | ४३० |
| थर्मल विस्तार (CTE) | 10-6K-1 | ४.५ |
| औष्मिक प्रवाहकता | (W/mK) | 300 |
