सेमिसेरा चेवेफर कॅसेटसेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रियेतील एक महत्त्वपूर्ण घटक आहे, नाजूक सेमीकंडक्टर वेफर्स सुरक्षितपणे ठेवण्यासाठी आणि वाहतूक करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. दवेफर कॅसेटहाताळणी, साठवण आणि वाहतूक करताना प्रत्येक वेफरला दूषित पदार्थांपासून आणि भौतिक नुकसानापासून मुक्त ठेवण्याची खात्री करून अपवादात्मक संरक्षण प्रदान करते.
उच्च-शुद्धता, रासायनिक-प्रतिरोधक सामग्री, सेमिसेरासह बांधलेलेवेफर कॅसेटउत्पादनाच्या प्रत्येक टप्प्यावर वेफर्सची अखंडता राखण्यासाठी आवश्यक असलेल्या उच्च पातळीच्या स्वच्छता आणि टिकाऊपणाची हमी देते. या कॅसेटचे अचूक अभियांत्रिकी स्वयंचलित हाताळणी प्रणालींसह अखंड एकीकरणास अनुमती देते, दूषित होण्याचा धोका आणि यांत्रिक नुकसान कमी करते.
ची रचनावेफर कॅसेटइष्टतम वायुप्रवाह आणि तापमान नियंत्रणास देखील समर्थन देते, जे विशिष्ट पर्यावरणीय परिस्थिती आवश्यक असलेल्या प्रक्रियांसाठी महत्त्वपूर्ण आहे. क्लीनरूममध्ये किंवा थर्मल प्रक्रियेदरम्यान वापरला जात असला तरीही, सेमिसेरावेफर कॅसेटसेमीकंडक्टर उद्योगाच्या कडक मागण्या पूर्ण करण्यासाठी, उत्पादन कार्यक्षमता आणि उत्पादन गुणवत्ता वाढविण्यासाठी विश्वासार्ह आणि सातत्यपूर्ण कार्यप्रदर्शन प्रदान करण्यासाठी इंजिनिअर केले आहे.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
