सेमिसेरा उद्योग-अग्रणी सादर करतोवेफर वाहक, उत्पादन प्रक्रियेच्या विविध टप्प्यांवर नाजूक सेमीकंडक्टर वेफर्सचे उत्कृष्ट संरक्षण आणि अखंड वाहतूक प्रदान करण्यासाठी अभियंता. आमचेवेफर वाहकआधुनिक सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनच्या कडक मागण्या पूर्ण करण्यासाठी काळजीपूर्वक डिझाइन केले आहे, तुमच्या वेफर्सची अखंडता आणि गुणवत्ता नेहमी राखली जाईल याची खात्री करून.
प्रमुख वैशिष्ट्ये:
• प्रीमियम मटेरियल बांधकाम:टिकाऊपणा आणि दीर्घायुष्याची हमी देणाऱ्या उच्च-गुणवत्तेच्या, दूषित-प्रतिरोधक सामग्रीपासून तयार केलेले, ते स्वच्छ खोलीच्या वातावरणासाठी आदर्श बनवते.
•अचूक डिझाइन:हाताळणी आणि वाहतूक दरम्यान वेफर स्लिपेज आणि नुकसान टाळण्यासाठी अचूक स्लॉट संरेखन आणि सुरक्षित होल्डिंग यंत्रणा वैशिष्ट्ये.
•बहुमुखी सुसंगतता:विविध सेमीकंडक्टर ऍप्लिकेशन्ससाठी लवचिकता प्रदान करून, वेफर आकार आणि जाडीची विस्तृत श्रेणी सामावून घेते.
•अर्गोनॉमिक हाताळणी:लाइटवेट आणि वापरकर्ता-अनुकूल डिझाइन सुलभ लोडिंग आणि अनलोडिंग सुलभ करते, ऑपरेशनल कार्यक्षमता वाढवते आणि हाताळणीचा वेळ कमी करते.
•सानुकूल करण्यायोग्य पर्याय:सामग्रीची निवड, आकार समायोजन आणि ऑप्टिमाइझ केलेल्या वर्कफ्लो एकत्रीकरणासाठी लेबलिंगसह विशिष्ट आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी सानुकूलन ऑफर करते.
Semicera's सह तुमची सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रक्रिया वाढवावेफर वाहक, तुमच्या वेफर्सला दूषित होण्यापासून आणि यांत्रिक नुकसानापासून सुरक्षित ठेवण्यासाठी योग्य उपाय. तुमची कार्ये सुरळीतपणे आणि कार्यक्षमतेने चालतील याची खात्री करून, केवळ उद्योग मानकांची पूर्तता करणारी नसून त्यापेक्षा जास्त असलेली उत्पादने वितरीत करण्यासाठी आमच्या गुणवत्ता आणि नाविन्यपूर्णतेच्या वचनबद्धतेवर विश्वास ठेवा.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||






