सेमिसेरा चे SOI वेफर (सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर) उत्कृष्ट विद्युत अलगाव आणि थर्मल कार्यप्रदर्शन देण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे. इन्सुलेटिंग लेयरवर सिलिकॉन लेयर असलेले हे नाविन्यपूर्ण वेफर स्ट्रक्चर, उपकरणाची वर्धित कार्यक्षमता आणि कमी वीज वापर सुनिश्चित करते, ज्यामुळे ते विविध उच्च-तंत्र अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनते.
आमचे SOI वेफर्स परजीवी कॅपेसिटन्स कमी करून आणि उपकरणाचा वेग आणि कार्यक्षमता सुधारून एकात्मिक सर्किट्ससाठी अपवादात्मक फायदे देतात. आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्ससाठी हे महत्त्वपूर्ण आहे, जेथे ग्राहक आणि औद्योगिक अनुप्रयोगांसाठी उच्च कार्यक्षमता आणि ऊर्जा कार्यक्षमता आवश्यक आहे.
सेमिसेरा सातत्यपूर्ण गुणवत्ता आणि विश्वासार्हतेसह SOI वेफर्स तयार करण्यासाठी प्रगत उत्पादन तंत्र वापरते. हे वेफर्स उत्कृष्ट थर्मल इन्सुलेशन प्रदान करतात, ज्यामुळे उच्च-घनतेच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये आणि उर्जा व्यवस्थापन प्रणालींसारख्या उष्णतेचा अपव्यय हा चिंतेचा विषय असलेल्या वातावरणात वापरण्यासाठी योग्य बनतो.
सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनमध्ये SOI वेफर्सचा वापर लहान, वेगवान आणि अधिक विश्वासार्ह चिप्सच्या विकासास अनुमती देतो. सेमिसेराची अचूक अभियांत्रिकीशी बांधिलकी हे सुनिश्चित करते की आमचे SOI वेफर्स दूरसंचार, ऑटोमोटिव्ह आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्स यांसारख्या क्षेत्रातील अत्याधुनिक तंत्रज्ञानासाठी आवश्यक असलेल्या उच्च मानकांची पूर्तता करतात.
Semicera चे SOI Wafer निवडणे म्हणजे इलेक्ट्रॉनिक आणि मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक तंत्रज्ञानाच्या प्रगतीला समर्थन देणाऱ्या उत्पादनामध्ये गुंतवणूक करणे. आमचे वेफर्स वर्धित कार्यप्रदर्शन आणि टिकाऊपणा प्रदान करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत, जे तुमच्या उच्च-तंत्र प्रकल्पांच्या यशात योगदान देतात आणि तुम्ही नाविन्यपूर्णतेमध्ये आघाडीवर राहता याची खात्री करतात.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||





