सेमिसेरा परिचय करून देतोवेफर कॅसेट वाहक, सेमीकंडक्टर वेफर्सच्या सुरक्षित आणि कार्यक्षम हाताळणीसाठी एक गंभीर उपाय. हा वाहक सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या कठोर गरजा पूर्ण करण्यासाठी, संपूर्ण उत्पादन प्रक्रियेदरम्यान तुमच्या वेफर्सचे संरक्षण आणि अखंडता सुनिश्चित करण्यासाठी इंजिनिअर केलेले आहे.
प्रमुख वैशिष्ट्ये:
•मजबूत बांधकाम:दवेफर कॅसेट वाहकउच्च-गुणवत्तेच्या, टिकाऊ सामग्रीपासून बनविलेले आहे जे सेमीकंडक्टर वातावरणाच्या कठोरतेला तोंड देते, दूषित आणि शारीरिक नुकसानापासून विश्वसनीय संरक्षण प्रदान करते.
•अचूक संरेखन:अचूक वेफर संरेखनासाठी डिझाइन केलेले, हे वाहक सुनिश्चित करते की वेफर्स सुरक्षितपणे जागी ठेवल्या जातात, वाहतुकीदरम्यान चुकीचे संरेखन किंवा नुकसान होण्याचा धोका कमी करते.
•सुलभ हाताळणी:एर्गोनॉमिकली वापरण्यास सुलभतेसाठी डिझाइन केलेले, वाहक लोडिंग आणि अनलोडिंग प्रक्रिया सुलभ करते, क्लीनरूम वातावरणात वर्कफ्लो कार्यक्षमता सुधारते.
•सुसंगतता:वेफर आकार आणि प्रकारांच्या विस्तृत श्रेणीशी सुसंगत, विविध सेमीकंडक्टर उत्पादन गरजांसाठी ते बहुमुखी बनवते.
Semicera's सह अतुलनीय संरक्षण आणि सोयीचा अनुभव घ्यावेफर कॅसेट वाहक. आमचे वाहक सेमीकंडक्टर उत्पादनाच्या सर्वोच्च मानकांची पूर्तता करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहे, तुमचे वेफर्स सुरुवातीपासून शेवटपर्यंत मूळ स्थितीत राहतील याची खात्री करून. तुमच्या सर्वात गंभीर प्रक्रियेसाठी तुम्हाला आवश्यक असलेली गुणवत्ता आणि विश्वासार्हता वितरीत करण्यासाठी सेमिसेरा वर विश्वास ठेवा.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |