सेमिसेराने ऑफर केलेल्या सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एचिंग रिंग्ज रासायनिक वाष्प डिपॉझिशन (CVD) पद्धतीने तयार केल्या जातात आणि अचूक नक्षीकाम प्रक्रियेच्या अनुप्रयोगांच्या क्षेत्रात उत्कृष्ट परिणाम आहेत. या सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एचिंग रिंग्स त्यांच्या उत्कृष्ट कडकपणा, थर्मल स्थिरता आणि गंज प्रतिरोधकतेसाठी ओळखल्या जातात आणि CVD संश्लेषणाद्वारे उत्कृष्ट सामग्रीची गुणवत्ता सुनिश्चित केली जाते.
विशेषत: एचिंग प्रक्रियेसाठी डिझाइन केलेले, सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड(SiC) एचिंग रिंग्जची खडबडीत रचना आणि अद्वितीय सामग्री गुणधर्म अचूकता आणि विश्वासार्हता प्राप्त करण्यात महत्त्वाची भूमिका बजावतात. पारंपारिक सामग्रीच्या विपरीत, घन SiC घटकामध्ये अतुलनीय टिकाऊपणा आणि परिधान प्रतिरोधकता आहे, ज्यामुळे तो उद्योगांमध्ये एक अपरिहार्य घटक बनतो ज्यांना अचूकता आणि दीर्घ आयुष्य आवश्यक असते.
आमची सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एचिंग रिंग्स त्यांची उत्कृष्ट कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुनिश्चित करण्यासाठी अचूक उत्पादित आणि गुणवत्ता नियंत्रित आहेत. सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंग असो किंवा इतर संबंधित फील्ड, या सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एचिंग रिंग स्थिर एचिंग कार्यप्रदर्शन आणि उत्कृष्ट एचिंग परिणाम प्रदान करू शकतात.
तुम्हाला आमच्या सॉलिड सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) एचिंग रिंगमध्ये स्वारस्य असल्यास, कृपया आमच्याशी संपर्क साधा. तुमच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी आमचा कार्यसंघ तुम्हाला तपशीलवार उत्पादन माहिती आणि व्यावसायिक तांत्रिक सहाय्य प्रदान करेल. आम्ही तुमच्यासोबत दीर्घकालीन भागीदारी प्रस्थापित करण्यासाठी आणि उद्योगाच्या विकासाला संयुक्तपणे प्रोत्साहन देण्यासाठी उत्सुक आहोत.
✓ चीनच्या बाजारपेठेत उच्च दर्जाचे
✓तुमच्यासाठी नेहमीच चांगली सेवा, 7*24 तास
✓ वितरणाची छोटी तारीख
✓लहान MOQ स्वागत आणि स्वीकारले
✓सानुकूल सेवा
एपिटॅक्सी ग्रोथ ससेप्टर
सिलिकॉन/सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्सना इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये वापरण्यासाठी अनेक प्रक्रियांमधून जावे लागते. एक महत्त्वाची प्रक्रिया म्हणजे सिलिकॉन/sic एपिटॅक्सी, ज्यामध्ये सिलिकॉन/sic वेफर्स ग्रेफाइट बेसवर वाहून नेले जातात. सेमिसेरा च्या सिलिकॉन कार्बाइड-लेपित ग्रेफाइट बेसच्या विशेष फायद्यांमध्ये अत्यंत उच्च शुद्धता, एकसमान कोटिंग आणि अत्यंत दीर्घ सेवा आयुष्य समाविष्ट आहे. त्यांच्याकडे उच्च रासायनिक प्रतिकार आणि थर्मल स्थिरता देखील आहे.
एलईडी चिप उत्पादन
MOCVD अणुभट्टीच्या विस्तृत कोटिंग दरम्यान, ग्रहांचा आधार किंवा वाहक सब्सट्रेट वेफर हलवतो. बेस मटेरियलच्या कामगिरीचा कोटिंगच्या गुणवत्तेवर मोठा प्रभाव पडतो, ज्यामुळे चिपच्या स्क्रॅप रेटवर परिणाम होतो. सेमिसेराचा सिलिकॉन कार्बाइड-कोटेड बेस उच्च-गुणवत्तेच्या एलईडी वेफर्सची उत्पादन कार्यक्षमता वाढवतो आणि तरंगलांबी विचलन कमी करतो. आम्ही सध्या वापरात असलेल्या सर्व MOCVD अणुभट्ट्यांसाठी अतिरिक्त ग्रेफाइट घटक देखील पुरवतो. आम्ही जवळजवळ कोणत्याही घटकाला सिलिकॉन कार्बाइड लेपने कोट करू शकतो, जरी घटकाचा व्यास 1.5M पर्यंत असला तरीही आम्ही सिलिकॉन कार्बाइडने कोट करू शकतो.
सेमीकंडक्टर फील्ड, ऑक्सिडेशन डिफ्यूजन प्रक्रिया, इ.
सेमीकंडक्टर प्रक्रियेत, ऑक्सिडेशन विस्तार प्रक्रियेसाठी उच्च उत्पादन शुद्धता आवश्यक आहे आणि सेमिसेरा येथे आम्ही सिलिकॉन कार्बाइडच्या बहुतांश भागांसाठी कस्टम आणि सीव्हीडी कोटिंग सेवा देऊ करतो.
खालील चित्र सेमिसियाची रफ-प्रक्रिया केलेली सिलिकॉन कार्बाइड स्लरी आणि सिलिकॉन कार्बाइड फर्नेस ट्यूब दाखवते जी 100 मध्ये साफ केली जाते.0-स्तरधूळ मुक्तखोली आमचे कामगार कोटिंग करण्यापूर्वी काम करत आहेत. आमच्या सिलिकॉन कार्बाइडची शुद्धता 99.99% पर्यंत पोहोचू शकते आणि sic कोटिंगची शुद्धता 99.99995% पेक्षा जास्त आहे.
कच्चा सिलिकॉन कार्बाइड पॅडल आणि क्लीइंगमध्ये SiC प्रक्रिया ट्यूब
सिलिकॉन कार्बाइड वेफर बोट CVD SiC लेपित
