Semicera चे SiN सिरॅमिक्स प्लेन सबस्ट्रेट्स विविध इलेक्ट्रॉनिक आणि औद्योगिक अनुप्रयोगांसाठी उच्च-कार्यक्षमता समाधान प्रदान करतात. त्यांच्या उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि यांत्रिक सामर्थ्यासाठी ओळखले जाणारे, हे सब्सट्रेट्स मागणी असलेल्या वातावरणात विश्वसनीय ऑपरेशन सुनिश्चित करतात.
आमचे SiN (सिलिकॉन नायट्राइड) सिरॅमिक्स अत्यंत तापमान आणि उच्च-तणाव परिस्थिती हाताळण्यासाठी डिझाइन केले आहेत, ज्यामुळे ते उच्च-शक्ती इलेक्ट्रॉनिक्स आणि प्रगत सेमीकंडक्टर उपकरणांसाठी योग्य आहेत. त्यांची टिकाऊपणा आणि थर्मल शॉकचा प्रतिकार त्यांना अशा ऍप्लिकेशन्समध्ये वापरण्यासाठी आदर्श बनवते जिथे विश्वसनीयता आणि कार्यप्रदर्शन गंभीर आहे.
सेमिसेरा च्या अचूक उत्पादन प्रक्रिया हे सुनिश्चित करतात की प्रत्येक साधा सब्सट्रेट कठोर गुणवत्ता मानके पूर्ण करतो. याचा परिणाम सुसंगत जाडी आणि पृष्ठभागाच्या गुणवत्तेसह सब्सट्रेट्समध्ये होतो, जे इलेक्ट्रॉनिक असेंब्ली आणि सिस्टममध्ये इष्टतम कार्यप्रदर्शन साध्य करण्यासाठी आवश्यक असतात.
त्यांच्या थर्मल आणि यांत्रिक फायद्यांव्यतिरिक्त, SiN सिरॅमिक्स प्लेन सबस्ट्रेट्स उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन गुणधर्म देतात. हे कमीतकमी विद्युत हस्तक्षेप सुनिश्चित करते आणि इलेक्ट्रॉनिक घटकांच्या एकूण स्थिरता आणि कार्यक्षमतेत योगदान देते, त्यांचे कार्यशील आयुर्मान वाढवते.
सेमिसेरा चे SiN सिरॅमिक्स प्लेन सबस्ट्रेट्स निवडून, तुम्ही एक उत्पादन निवडत आहात जे उच्च दर्जाच्या उत्पादनासह प्रगत भौतिक विज्ञानाची जोड देते. गुणवत्ता आणि नाविन्यपूर्णतेसाठी आमची वचनबद्धता हमी देते की तुम्हाला उच्च उद्योग मानके पूर्ण करणारे आणि तुमच्या प्रगत तंत्रज्ञान प्रकल्पांच्या यशास समर्थन देणारे सबस्ट्रेट्स मिळतील.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
