सेमिसेरा सिलिकॉन वेफर्स सूक्ष्मप्रोसेसरपासून फोटोव्होल्टेइक पेशींपर्यंत अर्धसंवाहक उपकरणांच्या विस्तृत श्रेणीचा पाया म्हणून काम करण्यासाठी काळजीपूर्वक तयार केले आहेत. हे वेफर्स उच्च सुस्पष्टता आणि शुद्धतेसह इंजिनियर केलेले आहेत, विविध इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांमध्ये इष्टतम कार्यप्रदर्शन सुनिश्चित करतात.
प्रगत तंत्रांचा वापर करून उत्पादित, सेमिसेरा सिलिकॉन वेफर्स अपवादात्मक सपाटपणा आणि एकरूपता प्रदर्शित करतात, जे सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनमध्ये उच्च उत्पन्न मिळविण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहेत. अचूकतेचा हा स्तर दोष कमी करण्यात आणि इलेक्ट्रॉनिक घटकांची एकूण कार्यक्षमता सुधारण्यात मदत करतो.
सेमिसेरा सिलिकॉन वेफर्सची उत्कृष्ट गुणवत्ता त्यांच्या विद्युत वैशिष्ट्यांमध्ये स्पष्ट होते, जे सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या वर्धित कार्यक्षमतेत योगदान देतात. कमी अशुद्धता पातळी आणि उच्च क्रिस्टल गुणवत्तेसह, हे वेफर्स उच्च-कार्यक्षमता इलेक्ट्रॉनिक्स विकसित करण्यासाठी आदर्श व्यासपीठ प्रदान करतात.
विविध आकार आणि वैशिष्ट्यांमध्ये उपलब्ध, सेमिसेरा सिलिकॉन वेफर्स संगणकीय, दूरसंचार आणि अक्षय ऊर्जा यासह विविध उद्योगांच्या विशिष्ट गरजा पूर्ण करण्यासाठी तयार केले जाऊ शकतात. मोठ्या प्रमाणात उत्पादनासाठी किंवा विशेष संशोधनासाठी, हे वेफर्स विश्वसनीय परिणाम देतात.
सेमिसेरा उच्च दर्जाचे सिलिकॉन वेफर्स प्रदान करून सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या वाढीस आणि नवकल्पनास समर्थन देण्यासाठी वचनबद्ध आहे जे उच्च उद्योग मानके पूर्ण करतात. अचूकता आणि विश्वासार्हतेवर लक्ष केंद्रित करून, सेमिसेरा उत्पादकांना त्यांची उत्पादने बाजारपेठेत आघाडीवर राहण्याची खात्री करून तंत्रज्ञानाच्या सीमा पार करण्यास सक्षम करते.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |