सेमिसेरा सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या कठोर मागण्या पूर्ण करण्यासाठी तयार केले आहेत, अतुलनीय गुणवत्ता आणि अचूकता ऑफर करतात. हे सब्सट्रेट्स विविध ऍप्लिकेशन्ससाठी एक विश्वासार्ह पाया प्रदान करतात, एकात्मिक सर्किट्सपासून फोटोव्होल्टेइक पेशींपर्यंत, इष्टतम कार्यप्रदर्शन आणि दीर्घायुष्य सुनिश्चित करतात.
सेमिसेरा सिलिकॉन सब्सट्रेट्सची उच्च शुद्धता कमीत कमी दोष आणि उच्च विद्युत वैशिष्ट्ये सुनिश्चित करते, जे उच्च-कार्यक्षमतेच्या इलेक्ट्रॉनिक घटकांच्या उत्पादनासाठी महत्त्वपूर्ण आहेत. शुद्धतेचा हा स्तर ऊर्जेचा तोटा कमी करण्यात आणि अर्धसंवाहक उपकरणांची एकूण कार्यक्षमता सुधारण्यात मदत करतो.
सेमिसेरा अपवादात्मक एकसमानता आणि सपाटपणासह सिलिकॉन सब्सट्रेट्स तयार करण्यासाठी अत्याधुनिक उत्पादन तंत्र वापरते. सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनमध्ये सुसंगत परिणाम साध्य करण्यासाठी ही अचूकता आवश्यक आहे, जिथे अगदी थोडासा फरक देखील डिव्हाइसच्या कार्यक्षमतेवर आणि उत्पन्नावर परिणाम करू शकतो.
विविध आकार आणि वैशिष्ट्यांमध्ये उपलब्ध, सेमिसेरा सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स औद्योगिक गरजांच्या विस्तृत श्रेणीची पूर्तता करतात. तुम्ही अत्याधुनिक मायक्रोप्रोसेसर विकसित करत असाल किंवा सौर पॅनेल, हे सबस्ट्रेट्स तुमच्या विशिष्ट अनुप्रयोगासाठी आवश्यक लवचिकता आणि विश्वासार्हता प्रदान करतात.
सेमीसेरा सेमीकंडक्टर उद्योगातील नावीन्य आणि कार्यक्षमतेला समर्थन देण्यासाठी समर्पित आहे. उच्च-गुणवत्तेचे सिलिकॉन सबस्ट्रेट्स प्रदान करून, आम्ही उत्पादकांना तंत्रज्ञानाच्या सीमांना पुढे ढकलण्यास सक्षम करतो, बाजाराच्या विकसित मागणी पूर्ण करणारी उत्पादने वितरीत करतो. तुमच्या पुढील पिढीच्या इलेक्ट्रॉनिक आणि फोटोव्होल्टेइक सोल्यूशन्ससाठी सेमिसेरावर विश्वास ठेवा.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||





