इन्सुलेटर वेफर्सवर सिलिकॉनसेमिसेरा उच्च-कार्यक्षमता सेमीकंडक्टर सोल्यूशन्सची वाढती मागणी पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केले आहे. आमचे SOI वेफर्स उत्कृष्ट विद्युत कार्यप्रदर्शन देतात आणि परजीवी उपकरणाची क्षमता कमी करतात, ज्यामुळे ते MEMS उपकरण, सेन्सर्स आणि एकात्मिक सर्किट्स सारख्या प्रगत अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनतात. सेमिसेरा चे वेफर उत्पादनातील कौशल्य हे सुनिश्चित करते की प्रत्येकSOI वेफरतुमच्या पुढील पिढीच्या तंत्रज्ञानाच्या गरजांसाठी विश्वसनीय, उच्च-गुणवत्तेचे परिणाम प्रदान करते.
आमचेइन्सुलेटर वेफर्सवर सिलिकॉनखर्च-प्रभावीता आणि कार्यप्रदर्शन यांच्यात इष्टतम संतुलन प्रदान करते. सोई वेफरची किंमत वाढत्या स्पर्धात्मक होत असल्याने, हे वेफर्स मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्ससह विविध उद्योगांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जातात. सेमिसेरा ची उच्च-सुस्पष्टता उत्पादन प्रक्रिया उत्कृष्ट वेफर बाँडिंग आणि एकसमानतेची हमी देते, ज्यामुळे पोकळी SOI वेफर्सपासून ते मानक सिलिकॉन वेफर्सपर्यंत विविध अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनते.
प्रमुख वैशिष्ट्ये:
•उच्च-गुणवत्तेचे SOI वेफर्स MEMS आणि इतर अनुप्रयोगांमध्ये कार्यप्रदर्शनासाठी ऑप्टिमाइझ केलेले.
•गुणवत्तेशी तडजोड न करता प्रगत उपाय शोधणाऱ्या व्यवसायांसाठी स्पर्धात्मक सोई वेफरची किंमत.
•इन्सुलेटर सिस्टीमवर सिलिकॉनमध्ये वर्धित विद्युत अलगाव आणि कार्यक्षमता ऑफर करणाऱ्या अत्याधुनिक तंत्रज्ञानासाठी आदर्श.
आमचेइन्सुलेटर वेफर्सवर सिलिकॉनसेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानातील नवनिर्मितीच्या पुढील लाटेला समर्थन देऊन उच्च-कार्यक्षमता समाधाने प्रदान करण्यासाठी अभियंता आहेत. आपण पोकळी वर काम करत आहात की नाहीSOI वेफर्स, एमईएमएस उपकरणे किंवा इन्सुलेटर घटकांवर सिलिकॉन, सेमिसेरा उद्योगातील सर्वोच्च मानके पूर्ण करणारे वेफर्स वितरीत करते.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |