सेमिसेरा चे सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर (SOI) वेफर हे सेमीकंडक्टर इनोव्हेशनमध्ये आघाडीवर आहे, जे वर्धित इलेक्ट्रिकल आयसोलेशन आणि उत्कृष्ट थर्मल कार्यक्षमता देते. इन्सुलेटिंग सब्सट्रेटवर पातळ सिलिकॉन थर असलेली SOI रचना, उच्च-कार्यक्षमता इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी महत्त्वपूर्ण फायदे प्रदान करते.
आमचे SOI वेफर्स हे परजीवी कॅपॅसिटन्स आणि गळतीचे प्रवाह कमी करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत, जे उच्च-गती आणि कमी-पावर इंटिग्रेटेड सर्किट्स विकसित करण्यासाठी आवश्यक आहे. हे प्रगत तंत्रज्ञान हे सुनिश्चित करते की उपकरणे अधिक कार्यक्षमतेने कार्य करतात, सुधारित वेग आणि कमी ऊर्जा वापरासह, आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्ससाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
सेमिसेरा द्वारे नियोजित प्रगत उत्पादन प्रक्रिया उत्कृष्ट एकसमानता आणि सातत्यपूर्ण SOI वेफर्सच्या उत्पादनाची हमी देतात. ही गुणवत्ता दूरसंचार, ऑटोमोटिव्ह आणि ग्राहक इलेक्ट्रॉनिक्समधील अनुप्रयोगांसाठी महत्त्वपूर्ण आहे, जेथे विश्वसनीय आणि उच्च-कार्यक्षम घटक आवश्यक आहेत.
त्यांच्या इलेक्ट्रिकल फायद्यांव्यतिरिक्त, सेमिसेरा चे SOI वेफर्स उत्कृष्ट थर्मल इन्सुलेशन देतात, उच्च-घनता आणि उच्च-शक्ती उपकरणांमध्ये उष्णता नष्ट करणे आणि स्थिरता वाढवतात. हे वैशिष्ट्य विशेषतः अशा अनुप्रयोगांमध्ये मौल्यवान आहे ज्यामध्ये लक्षणीय उष्णता निर्माण होते आणि प्रभावी थर्मल व्यवस्थापन आवश्यक असते.
सेमिसेरा चे सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर वेफर निवडून, तुम्ही अत्याधुनिक तंत्रज्ञानाच्या प्रगतीला समर्थन देणाऱ्या उत्पादनामध्ये गुंतवणूक करता. गुणवत्ता आणि नाविन्यपूर्णतेसाठी आमची वचनबद्धता हे सुनिश्चित करते की आमचे SOI वेफर्स आजच्या सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या कठोर मागणीची पूर्तता करतात, पुढील पिढीच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी पाया प्रदान करतात.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |