सेमिसेरा चे सिलिकॉन नायट्राइड सिरॅमिक सब्सट्रेट प्रगत साहित्य तंत्रज्ञानाच्या शिखराचे प्रतिनिधित्व करते, अपवादात्मक थर्मल चालकता आणि मजबूत यांत्रिक गुणधर्म प्रदान करते. उच्च-कार्यक्षमता ऍप्लिकेशन्ससाठी इंजिनिअर केलेले, हे सब्सट्रेट विश्वसनीय थर्मल व्यवस्थापन आणि संरचनात्मक अखंडता आवश्यक असलेल्या वातावरणात उत्कृष्ट आहे.
आमचे सिलिकॉन नायट्राइड सिरॅमिक सबस्ट्रेट्स अत्यंत तापमान आणि कठोर परिस्थितीचा सामना करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत, ज्यामुळे ते उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी आदर्श आहेत. त्यांची उच्च औष्णिक चालकता कार्यक्षम उष्णतेचा अपव्यय सुनिश्चित करते, जे इलेक्ट्रॉनिक घटकांची कार्यक्षमता आणि दीर्घायुष्य राखण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
सेमिसेराची गुणवत्तेशी बांधिलकी आम्ही उत्पादित केलेल्या प्रत्येक सिलिकॉन नायट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेटमध्ये दिसून येते. सातत्यपूर्ण कार्यप्रदर्शन आणि कमीतकमी दोष सुनिश्चित करण्यासाठी प्रत्येक सब्सट्रेट अत्याधुनिक प्रक्रिया वापरून तयार केला जातो. ही उच्च पातळीची अचूकता ऑटोमोटिव्ह, एरोस्पेस आणि दूरसंचार यांसारख्या उद्योगांच्या कठोर मागण्यांना समर्थन देते.
त्यांच्या थर्मल आणि मेकॅनिकल फायद्यांव्यतिरिक्त, आमचे सब्सट्रेट्स उत्कृष्ट इलेक्ट्रिकल इन्सुलेशन गुणधर्म देतात, जे तुमच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या एकूण विश्वासार्हतेमध्ये योगदान देतात. विद्युत हस्तक्षेप कमी करून आणि घटकांची स्थिरता वाढवून, सेमिसेरा चे सिलिकॉन नायट्राइड सिरेमिक सबस्ट्रेट्स उपकरणाची कार्यक्षमता ऑप्टिमाइझ करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात.
सेमिसेरा चे सिलिकॉन नायट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट निवडणे म्हणजे उच्च कार्यक्षमता आणि टिकाऊपणा दोन्ही प्रदान करणाऱ्या उत्पादनामध्ये गुंतवणूक करणे. आमची सबस्ट्रेट्स प्रगत इलेक्ट्रॉनिक ऍप्लिकेशन्सच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी इंजिनीयर केलेली आहेत, तुमच्या डिव्हाइसना अत्याधुनिक साहित्य तंत्रज्ञानाचा आणि अपवादात्मक विश्वासार्हतेचा फायदा होईल याची खात्री करून.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |