सेमिसेरा ची सिलिकॉन फिल्म ही सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या कठोर गरजा पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेली उच्च-गुणवत्तेची, अचूक-अभियांत्रिकी सामग्री आहे. शुद्ध सिलिकॉनपासून तयार केलेले, हे पातळ-फिल्म सोल्यूशन उत्कृष्ट एकरूपता, उच्च शुद्धता आणि अपवादात्मक विद्युत आणि थर्मल गुणधर्म देते. Si Wafer, SiC सब्सट्रेट, SOI वेफर, SiN सब्सट्रेट आणि Epi-Wafer च्या उत्पादनासह विविध सेमीकंडक्टर ऍप्लिकेशन्समध्ये वापरण्यासाठी हे आदर्श आहे. सेमिसेराची सिलिकॉन फिल्म विश्वसनीय आणि सातत्यपूर्ण कामगिरीची खात्री देते, ज्यामुळे ती प्रगत मायक्रोइलेक्ट्रॉनिकसाठी आवश्यक सामग्री बनते.
सेमीकंडक्टर उत्पादनासाठी उत्कृष्ट गुणवत्ता आणि कार्यप्रदर्शन
सेमिसेराची सिलिकॉन फिल्म त्याच्या उत्कृष्ट यांत्रिक शक्ती, उच्च थर्मल स्थिरता आणि कमी दोष दरांसाठी ओळखली जाते, हे सर्व उच्च-कार्यक्षमता सेमीकंडक्टरच्या निर्मितीमध्ये महत्त्वपूर्ण आहेत. गॅलियम ऑक्साईड (Ga2O3) उपकरणे, AlN Wafer किंवा Epi-wafers च्या निर्मितीमध्ये वापरला जात असला तरीही, चित्रपट पातळ-फिल्म जमा होण्यासाठी आणि एपिटॅक्सियल वाढीसाठी मजबूत पाया प्रदान करतो. SiC सब्सट्रेट आणि SOI वेफर्स सारख्या इतर सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट्ससह त्याची सुसंगतता विद्यमान उत्पादन प्रक्रियांमध्ये अखंड एकीकरण सुनिश्चित करते, उच्च उत्पादन आणि सातत्यपूर्ण उत्पादन गुणवत्ता राखण्यात मदत करते.
सेमीकंडक्टर उद्योगातील अर्ज
सेमीकंडक्टर उद्योगात, Semicera च्या सिलिकॉन फिल्मचा उपयोग Si Wafer आणि SOI Wafer च्या निर्मितीपासून ते SiN सब्सट्रेट आणि Epi-Wafer निर्मिती सारख्या अधिक विशिष्ट वापरांपर्यंत विस्तृत अनुप्रयोगांमध्ये केला जातो. या चित्रपटाची उच्च शुद्धता आणि अचूकता मायक्रोप्रोसेसर आणि इंटिग्रेटेड सर्किट्सपासून ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांपर्यंत सर्व गोष्टींमध्ये वापरल्या जाणाऱ्या प्रगत घटकांच्या निर्मितीमध्ये आवश्यक बनवते.
सिलिकॉन फिल्म सेमीकंडक्टर प्रक्रियांमध्ये महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते जसे की एपिटॅक्सियल ग्रोथ, वेफर बाँडिंग आणि थिन-फिल्म डिपॉझिशन. त्याचे विश्वसनीय गुणधर्म विशेषत: सेमीकंडक्टर फॅब्समधील क्लीनरूम्ससारख्या अत्यंत नियंत्रित वातावरणाची आवश्यकता असलेल्या उद्योगांसाठी मौल्यवान आहेत. याव्यतिरिक्त, सिलिकॉन फिल्म उत्पादनादरम्यान कार्यक्षम वेफर हाताळणी आणि वाहतुकीसाठी कॅसेट सिस्टममध्ये एकत्रित केली जाऊ शकते.
दीर्घकालीन विश्वसनीयता आणि सुसंगतता
सेमिसेराची सिलिकॉन फिल्म वापरण्याचा एक महत्त्वाचा फायदा म्हणजे त्याची दीर्घकालीन विश्वासार्हता. उत्कृष्ट टिकाऊपणा आणि सातत्यपूर्ण गुणवत्तेसह, हा चित्रपट उच्च-वॉल्यूम उत्पादन वातावरणासाठी एक विश्वासार्ह समाधान प्रदान करतो. उच्च-सुस्पष्टता सेमीकंडक्टर उपकरणे किंवा प्रगत इलेक्ट्रॉनिक ऍप्लिकेशन्समध्ये वापरली जात असली तरीही, सेमिसेरा सिलिकॉन फिल्म हे सुनिश्चित करते की उत्पादक उत्पादनांच्या विस्तृत श्रेणीमध्ये उच्च कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता प्राप्त करू शकतात.
सेमिसेराची सिलिकॉन फिल्म का निवडावी?
सेमीसेरामधील सिलिकॉन फिल्म ही सेमीकंडक्टर उद्योगातील अत्याधुनिक अनुप्रयोगांसाठी आवश्यक सामग्री आहे. उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उच्च शुद्धता आणि यांत्रिक सामर्थ्य यासह त्याची उच्च-कार्यक्षमता गुणधर्म, सेमीकंडक्टर उत्पादनात सर्वोच्च मानके साध्य करू पाहणाऱ्या उत्पादकांसाठी आदर्श पर्याय बनवतात. Si Wafer आणि SiC सब्सट्रेट पासून Gallium Oxide Ga2O3 उपकरणांच्या निर्मितीपर्यंत, हा चित्रपट अतुलनीय गुणवत्ता आणि कामगिरी प्रदान करतो.
Semicera च्या सिलिकॉन फिल्मसह, तुम्ही आधुनिक सेमीकंडक्टर उत्पादनाच्या गरजा पूर्ण करणाऱ्या उत्पादनावर विश्वास ठेवू शकता, जे इलेक्ट्रॉनिक्सच्या पुढील पिढीसाठी एक विश्वासार्ह पाया प्रदान करते.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |