सेमिसेरा चेसिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सीआधुनिक सेमीकंडक्टर ऍप्लिकेशन्सच्या कठोर मागण्या पूर्ण करण्यासाठी इंजिनिअर केलेले आहे. प्रगत एपिटॅक्सियल ग्रोथ तंत्राचा वापर करून, आम्ही सुनिश्चित करतो की प्रत्येक सिलिकॉन कार्बाइड लेयर अपवादात्मक क्रिस्टलीय गुणवत्ता, एकसमानता आणि कमीतकमी दोष घनता प्रदर्शित करतो. उच्च-कार्यक्षमता पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स विकसित करण्यासाठी ही वैशिष्ट्ये महत्त्वपूर्ण आहेत, जिथे कार्यक्षमता आणि थर्मल व्यवस्थापन सर्वोपरि आहे.
दसिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सीसेमिसेरा येथील प्रक्रिया अचूक जाडी आणि डोपिंग नियंत्रणासह एपिटॅक्सियल स्तर तयार करण्यासाठी ऑप्टिमाइझ केली आहे, ज्यामुळे उपकरणांच्या श्रेणीमध्ये सातत्यपूर्ण कामगिरी सुनिश्चित केली जाते. इलेक्ट्रिक वाहने, नूतनीकरणक्षम ऊर्जा प्रणाली आणि उच्च-वारंवारता संप्रेषणांमध्ये अनुप्रयोगांसाठी अचूकतेचा हा स्तर आवश्यक आहे, जेथे विश्वासार्हता आणि कार्यक्षमता महत्त्वपूर्ण आहे.
शिवाय, Semicera च्यासिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सीवर्धित थर्मल चालकता आणि उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेज ऑफर करते, ज्यामुळे ते अत्यंत परिस्थितीत काम करणाऱ्या उपकरणांसाठी पसंतीचे पर्याय बनते. हे गुणधर्म जास्त काळ उपकरणाचे आयुष्य आणि सुधारित एकूण प्रणाली कार्यक्षमतेमध्ये योगदान देतात, विशेषतः उच्च-शक्ती आणि उच्च-तापमान वातावरणात.
सेमिसेरा यासाठी सानुकूलित पर्याय देखील प्रदान करतेसिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सी, विशिष्ट डिव्हाइसच्या आवश्यकता पूर्ण करणाऱ्या अनुरूप समाधानांसाठी अनुमती देते. संशोधन असो किंवा मोठ्या प्रमाणात उत्पादनासाठी, आमचे एपिटॅक्सियल लेयर सेमीकंडक्टर नवकल्पनांच्या पुढील पिढीला समर्थन देण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत, ज्यामुळे अधिक शक्तिशाली, कार्यक्षम आणि विश्वासार्ह इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांचा विकास करणे शक्य होईल.
अत्याधुनिक तंत्रज्ञान आणि कडक गुणवत्ता नियंत्रण प्रक्रिया एकत्रित करून, सेमिसेरा हे सुनिश्चित करतो की आमचेसिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सीउत्पादने केवळ उद्योग मानकांची पूर्तता करत नाहीत तर ओलांडतात. उत्कृष्टतेची ही वचनबद्धता आमच्या एपिटॅक्सियल लेयरला प्रगत सेमीकंडक्टर ऍप्लिकेशन्ससाठी आदर्श पाया बनवते, ज्यामुळे पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्समधील प्रगतीचा मार्ग मोकळा होतो.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||





