वर्णन
दसिलिकॉन कार्बाइड डिस्कसेमिसेरा पासून MOCVD साठी, एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेत इष्टतम कार्यक्षमतेसाठी डिझाइन केलेले उच्च-कार्यक्षमतेचे समाधान. सेमीसेरा सिलिकॉन कार्बाइड डिस्क अपवादात्मक थर्मल स्थिरता आणि सुस्पष्टता देते, ज्यामुळे ती Si Epitaxy आणि SiC Epitaxy प्रक्रियांमध्ये एक आवश्यक घटक बनते. उच्च तापमान आणि MOCVD ऍप्लिकेशन्सच्या मागणीच्या परिस्थितीला तोंड देण्यासाठी इंजिनिअर केलेली ही डिस्क विश्वसनीय कामगिरी आणि दीर्घायुष्य सुनिश्चित करते.
आमची सिलिकॉन कार्बाइड डिस्क MOCVD सेटअपच्या विस्तृत श्रेणीशी सुसंगत आहे, यासहMOCVD ससेप्टरप्रणाली, आणि SiC Epitaxy वर GaN सारख्या प्रगत प्रक्रियांना समर्थन देते. हे PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier आणि RTP वाहक सिस्टीमसह सहजतेने समाकलित होते, तुमच्या उत्पादन उत्पादनाची अचूकता आणि गुणवत्ता वाढवते. मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकॉन उत्पादनासाठी किंवा LED एपिटॅक्सियल ससेप्टर ऍप्लिकेशनसाठी वापरली जात असली तरीही, ही डिस्क अपवादात्मक परिणाम सुनिश्चित करते.
याव्यतिरिक्त, सेमीसेराची सिलिकॉन कार्बाइड डिस्क विविध उत्पादन वातावरणात लवचिकता प्रदान करून, पॅनकेक ससेप्टर आणि बॅरल ससेप्टर सेटअपसह विविध कॉन्फिगरेशनसाठी अनुकूल आहे. फोटोव्होल्टेइक पार्ट्सचा समावेश सौरऊर्जा उद्योगांसाठी त्याचा उपयोग वाढवतो, ज्यामुळे तो आधुनिकतेसाठी एक बहुमुखी आणि अपरिहार्य घटक बनतो.एपिटॅक्सियलवाढ आणि सेमीकंडक्टर उत्पादन.
मुख्य वैशिष्ट्ये
1 .उच्च शुद्धता SiC लेपित ग्रेफाइट
2. उत्कृष्ट उष्णता प्रतिरोधकता आणि थर्मल एकरूपता
3. ठीक आहेSiC क्रिस्टल लेपितगुळगुळीत पृष्ठभागासाठी
4. रासायनिक साफसफाईच्या विरूद्ध उच्च टिकाऊपणा
CVD-SIC कोटिंग्जचे मुख्य तपशील:
| SiC-CVD | ||
| घनता | (g/cc) | ३.२१ |
| लवचिक शक्ती | (एमपीए) | ४७० |
| थर्मल विस्तार | (१०-६/के) | 4 |
| थर्मल चालकता | (W/mK) | 300 |
पॅकिंग आणि शिपिंग
पुरवठा क्षमता:
10000 तुकडा/तुकडे प्रति महिना
पॅकेजिंग आणि वितरण:
पॅकिंग: मानक आणि मजबूत पॅकिंग
पॉली बॅग + बॉक्स + कार्टन + पॅलेट
बंदर:
निंगबो/शेन्झेन/शांघाय
लीड वेळ:
| प्रमाण (तुकडे) | 1-1000 | >1000 |
| अंदाज वेळ (दिवस) | 30 | वाटाघाटी करणे |
