SiC Caoted GAN Epi Wafer वाहक

संक्षिप्त वर्णन:

सेमिसेरा सेमीकंडक्टरचे SiC कोटेड GaN Epi Wafer Carrier GaN epitaxy प्रक्रियेसाठी अपवादात्मक टिकाऊपणा आणि थर्मल स्थिरता देते. प्रगत SiC कोटिंग तंत्रज्ञानासह उच्च-कार्यक्षमता वाहकांसाठी सेमिसेरावर विश्वास ठेवा, तुमची वेफर हाताळणी ऑप्टिमाइझ करण्यासाठी आणि कार्यक्षमता वाढवण्यासाठी डिझाइन केलेले.

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

वर्णन

Semicera GaN Epitaxy Carrier हे आधुनिक सेमीकंडक्टर उत्पादनाच्या कडक मागण्या पूर्ण करण्यासाठी काळजीपूर्वक डिझाइन केलेले आहे. उच्च-गुणवत्तेची सामग्री आणि अचूक अभियांत्रिकीच्या पायासह, हे वाहक त्याच्या अपवादात्मक कामगिरी आणि विश्वासार्हतेमुळे वेगळे आहे. केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (CVD) सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) कोटिंगचे एकत्रीकरण उच्च टिकाऊपणा, थर्मल कार्यक्षमता आणि संरक्षण सुनिश्चित करते, ज्यामुळे ते उद्योग व्यावसायिकांसाठी एक पसंतीचे पर्याय बनते.

प्रमुख वैशिष्ट्ये

1. अपवादात्मक टिकाऊपणाGaN Epitaxy Carrier वरील CVD SiC कोटिंग त्याची झीज आणि झीज होण्याची प्रतिकारशक्ती वाढवते, त्याचे ऑपरेशनल आयुष्य लक्षणीयरीत्या वाढवते. ही मजबुती उत्पादन वातावरणाची मागणी करत असतानाही, वारंवार बदलण्याची आणि देखभालीची गरज कमी करून सातत्यपूर्ण कामगिरी सुनिश्चित करते.

2. उत्कृष्ट थर्मल कार्यक्षमतासेमीकंडक्टर उत्पादनामध्ये थर्मल मॅनेजमेंट महत्त्वपूर्ण आहे. GaN Epitaxy Carrier चे प्रगत थर्मल गुणधर्म कार्यक्षम उष्णतेचा अपव्यय सुलभ करतात, एपिटॅक्सियल वाढ प्रक्रियेदरम्यान इष्टतम तापमान स्थिती राखतात. ही कार्यक्षमता केवळ सेमीकंडक्टर वेफर्सची गुणवत्ता सुधारत नाही तर एकूण उत्पादन कार्यक्षमता देखील वाढवते.

3. संरक्षणात्मक क्षमताSiC कोटिंग रासायनिक गंज आणि थर्मल शॉकपासून मजबूत संरक्षण प्रदान करते. हे नाजूक सेमीकंडक्टर सामग्रीचे संरक्षण करून आणि उत्पादन प्रक्रियेचे एकूण उत्पन्न आणि विश्वासार्हता वाढवून, संपूर्ण उत्पादन प्रक्रियेत वाहकाची अखंडता राखली जाते याची खात्री करते.