सेमिसेरा द्वारे Si सब्सट्रेट हा उच्च-कार्यक्षमता सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये एक आवश्यक घटक आहे. उच्च-शुद्धता सिलिकॉन (Si) पासून अभियंता, हा सब्सट्रेट अपवादात्मक एकसमानता, स्थिरता आणि उत्कृष्ट चालकता प्रदान करतो, ज्यामुळे सेमीकंडक्टर उद्योगातील प्रगत अनुप्रयोगांच्या विस्तृत श्रेणीसाठी ते आदर्श बनते. Si Wafer, SiC सब्सट्रेट, SOI Wafer किंवा SiN सब्सट्रेट उत्पादनात वापरला जात असला तरीही, Semicera Si सब्सट्रेट आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स आणि साहित्य विज्ञानाच्या वाढत्या मागण्या पूर्ण करण्यासाठी सातत्यपूर्ण गुणवत्ता आणि उत्कृष्ट कार्यप्रदर्शन प्रदान करते.
उच्च शुद्धता आणि अचूकतेसह अतुलनीय कामगिरी
सेमिसेरा चे सी सब्सट्रेट प्रगत प्रक्रिया वापरून तयार केले जाते जे उच्च शुद्धता आणि घट्ट मितीय नियंत्रण सुनिश्चित करते. सब्सट्रेट Epi-Wafers आणि AlN Wafers सह विविध उच्च-कार्यक्षमता सामग्रीच्या निर्मितीसाठी पाया म्हणून काम करते. Si सब्सट्रेटची सुस्पष्टता आणि एकसमानता पुढील पिढीच्या सेमीकंडक्टरच्या उत्पादनात वापरल्या जाणाऱ्या पातळ-फिल्म एपिटॅक्सियल लेयर आणि इतर गंभीर घटक तयार करण्यासाठी एक उत्कृष्ट पर्याय बनवते. तुम्ही गॅलियम ऑक्साइड (Ga2O3) किंवा इतर प्रगत सामग्रीसह काम करत असलात तरीही, Semicera चे Si सब्सट्रेट उच्च पातळीची विश्वसनीयता आणि कार्यप्रदर्शन सुनिश्चित करते.
सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमधील अनुप्रयोग
सेमीकंडक्टर उद्योगात, सेमिसेरामधील Si सब्सट्रेटचा उपयोग Si Wafer आणि SiC सब्सट्रेट उत्पादनासह विस्तृत ऍप्लिकेशन्समध्ये केला जातो, जेथे ते सक्रिय स्तरांच्या निक्षेपासाठी एक स्थिर, विश्वासार्ह आधार प्रदान करते. SOI वेफर्स (सिलिकॉन ऑन इन्सुलेटर) तयार करण्यात सब्सट्रेट महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते, जे प्रगत मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक आणि एकात्मिक सर्किटसाठी आवश्यक आहेत. शिवाय, Si Substrates वर बांधलेले Epi-wafers (epitaxial wafers) पॉवर ट्रान्झिस्टर, डायोड आणि इंटिग्रेटेड सर्किट्स यांसारख्या उच्च-कार्यक्षमता सेमीकंडक्टर उपकरणांच्या निर्मितीमध्ये अविभाज्य आहेत.
Si सब्सट्रेट गॅलियम ऑक्साईड (Ga2O3) वापरून उपकरणांच्या निर्मितीला देखील समर्थन देते, एक आशादायक वाइड-बँडगॅप सामग्री आहे जी पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्समधील उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांसाठी वापरली जाते. याव्यतिरिक्त, अलएन वेफर्स आणि इतर प्रगत सब्सट्रेट्ससह सेमिसेरा च्या Si सब्सट्रेटची सुसंगतता हे सुनिश्चित करते की ते उच्च-तंत्र उद्योगांच्या विविध आवश्यकता पूर्ण करू शकते, ज्यामुळे ते दूरसंचार, ऑटोमोटिव्ह आणि औद्योगिक क्षेत्रातील अत्याधुनिक उपकरणांच्या उत्पादनासाठी एक आदर्श उपाय बनते. .
उच्च-तंत्र अनुप्रयोगांसाठी विश्वसनीय आणि सातत्यपूर्ण गुणवत्ता
सेमीसेरा द्वारे सी सब्सट्रेट सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनच्या कठोर मागण्या पूर्ण करण्यासाठी काळजीपूर्वक इंजिनिअर केले आहे. त्याची अपवादात्मक संरचनात्मक अखंडता आणि उच्च-गुणवत्तेच्या पृष्ठभागाच्या गुणधर्मांमुळे ते वेफर वाहतुकीसाठी कॅसेट सिस्टममध्ये वापरण्यासाठी तसेच सेमीकंडक्टर उपकरणांमध्ये उच्च-सुस्पष्टता स्तर तयार करण्यासाठी आदर्श सामग्री बनवते. वेगवेगळ्या प्रक्रियेच्या परिस्थितीत सातत्यपूर्ण गुणवत्ता राखण्याची सब्सट्रेटची क्षमता कमीत कमी दोषांची खात्री देते, अंतिम उत्पादनाचे उत्पादन आणि कार्यप्रदर्शन वाढवते.
उत्कृष्ट औष्णिक चालकता, यांत्रिक शक्ती आणि उच्च शुद्धतेसह, सेमिसेरा चे Si सब्सट्रेट सेमीकंडक्टर उत्पादनात अचूकता, विश्वासार्हता आणि कार्यक्षमतेची सर्वोच्च मानके प्राप्त करू पाहणाऱ्या उत्पादकांसाठी निवडीची सामग्री आहे.
उच्च-शुद्धता, उच्च-कार्यक्षमता सोल्यूशन्ससाठी सेमिसेरा चे सी सब्सट्रेट निवडा
सेमीकंडक्टर उद्योगातील उत्पादकांसाठी, सेमिसेरामधील Si सब्सट्रेट Si Wafer उत्पादनापासून ते Epi-Wafers आणि SOI वेफर्सच्या निर्मितीपर्यंत विस्तृत अनुप्रयोगांसाठी एक मजबूत, उच्च-गुणवत्तेचे समाधान ऑफर करते. अतुलनीय शुद्धता, अचूकता आणि विश्वासार्हतेसह, हे सब्सट्रेट अत्याधुनिक सेमीकंडक्टर उपकरणांचे उत्पादन सक्षम करते, दीर्घकालीन कार्यप्रदर्शन आणि इष्टतम कार्यक्षमता सुनिश्चित करते. तुमच्या Si सब्सट्रेट गरजांसाठी सेमिसेरा निवडा आणि उद्याच्या तंत्रज्ञानाच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेल्या उत्पादनावर विश्वास ठेवा.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |