PVT SiC वाढीसाठी 6N सिलिकॉन कार्बाइड पावडर

PVT SiC ग्रोथ वैशिष्ट्यीकृत प्रतिमेसाठी 6N सिलिकॉन कार्बाइड पावडर

संक्षिप्त वर्णन:

PVT SiC ग्रोथसाठी सेमिसेरा ची 6N सिलिकॉन कार्बाइड पावडर ही भौतिक वाष्प वाहतूक (PVT) प्रक्रियेतील अचूक क्रिस्टल वाढीसाठी डिझाइन केलेली उच्च-शुद्धता सामग्री आहे. 6N च्या शुद्धतेसह, हे प्रीमियम SiC पावडर सेमीकंडक्टर आणि प्रगत मटेरियल ॲप्लिकेशन्समध्ये इष्टतम कामगिरी सुनिश्चित करते. Semicera चे सिलिकॉन कार्बाइड पावडर अपवादात्मक सातत्य, उच्च थर्मल स्थिरता आणि SiC क्रिस्टल वाढीसाठी विश्वसनीय परिणाम देते, ज्यामुळे ते अत्याधुनिक तंत्रज्ञान आणि औद्योगिक अनुप्रयोगांसाठी आदर्श पर्याय बनते.

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

टोनर उत्पादनात वापरल्या जाणाऱ्या कच्च्या मालामध्ये सामान्यतः फ्लेक ग्रेफाइट, पेट्रोलियम कोक आणि मायक्रोक्रिस्टलाइन स्टोन इंक यांचा समावेश होतो. ग्रेफाइटची शुद्धता जितकी जास्त असेल तितके वापर मूल्य जास्त असेल. ग्रेफाइट शुद्धीकरण पद्धती भौतिक पद्धती आणि रासायनिक पद्धतींमध्ये विभागल्या जाऊ शकतात. भौतिक शुद्धीकरण पद्धतींमध्ये फ्लोटेशन आणि उच्च तापमान शुध्दीकरण आणि रासायनिक शुद्धीकरण पद्धतींमध्ये आम्ल-बेस पद्धत, हायड्रोफ्लोरिक ऍसिड पद्धत आणि क्लोराईड भाजण्याची पद्धत समाविष्ट आहे.

त्यापैकी, उच्च तापमान शुद्धीकरण पद्धतीमुळे उच्च वितळ बिंदू (3773K) आणि ग्रेफाइटचा उत्कलन बिंदू 4N5 आणि उच्च शुद्धता प्राप्त करण्यासाठी वापरला जाऊ शकतो, ज्यामध्ये कमी उकळत्या बिंदूसह बाष्पीभवन आणि अशुद्धतेचे उत्सर्जन समाविष्ट असते, जेणेकरून उद्दिष्ट साध्य करता येईल. शुद्धीकरण [६]. उच्च शुद्धता टोनरचे मुख्य तंत्रज्ञान म्हणजे ट्रेस अशुद्धता काढून टाकणे. रासायनिक शुध्दीकरण आणि उच्च तापमान शुद्धीकरणाच्या वैशिष्ट्यांसह, उच्च शुद्धतेच्या टोनर सामग्रीचे शुद्धीकरण साध्य करण्यासाठी एक अद्वितीय खंडित संमिश्र उच्च तापमान थर्मोकेमिकल शुद्धीकरण प्रक्रिया स्वीकारली जाते आणि उत्पादनाची शुद्धता 6N पेक्षा जास्त असू शकते.