सेमिसेरा विविध घटक आणि वाहकांसाठी विशेष टँटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग प्रदान करते.सेमिसेरा अग्रगण्य कोटिंग प्रक्रियेमुळे टँटलम कार्बाइड (TaC) कोटिंग्स उच्च शुद्धता, उच्च तापमान स्थिरता आणि उच्च रासायनिक सहिष्णुता प्राप्त करण्यास सक्षम करते, SIC/GAN क्रिस्टल्स आणि EPI स्तरांच्या उत्पादनाची गुणवत्ता सुधारते (ग्रेफाइट लेपित TaC ससेप्टर), आणि प्रमुख अणुभट्टी घटकांचे आयुष्य वाढवणे. टँटलम कार्बाइड टीएसी कोटिंगचा वापर काठाची समस्या सोडवण्यासाठी आणि क्रिस्टल वाढीची गुणवत्ता सुधारण्यासाठी आहे आणि सेमिसेराने टँटॅलम कार्बाइड कोटिंग तंत्रज्ञान (CVD) आंतरराष्ट्रीय प्रगत स्तरावर पोहोचले आहे.
अनेक वर्षांच्या विकासानंतर, सेमिसेराने तंत्रज्ञानावर विजय मिळवला आहेCVD TaCसंशोधन आणि विकास विभागाच्या संयुक्त प्रयत्नांनी. SiC वेफर्सच्या वाढीच्या प्रक्रियेत दोष येणे सोपे आहे, परंतु वापरल्यानंतरTaC, फरक लक्षणीय आहे. खाली TaC सह आणि शिवाय वेफर्सची, तसेच सिंगल क्रिस्टल वाढीसाठी सेमिसेरा भागांची तुलना आहे
TaC सह आणि त्याशिवाय
TaC (उजवीकडे) वापरल्यानंतर
याव्यतिरिक्त, Semicera च्या TaC कोटिंग उत्पादनांचे सेवा जीवन SiC कोटिंगच्या तुलनेत जास्त काळ आणि उच्च तापमानास अधिक प्रतिरोधक आहे. प्रयोगशाळेच्या मापन डेटाच्या बर्याच काळानंतर, आमचे TaC जास्तीत जास्त 2300 अंश सेल्सिअस तापमानात दीर्घकाळ काम करू शकते. आमचे काही नमुने खालीलप्रमाणे आहेत:
(a) PVT पद्धतीने SiC सिंगल क्रिस्टल इनगॉट वाढणाऱ्या यंत्राचे योजनाबद्ध आकृती (b) Top TaC कोटेड सीड ब्रॅकेट (SIC बीजांसह) (c) TAC-कोटेड ग्रेफाइट मार्गदर्शक रिंग
