सेमिसेराऑफर करण्यात आनंद होत आहेपीएफए कॅसेट, रासायनिक प्रतिकार आणि टिकाऊपणा सर्वोपरि असलेल्या वातावरणात वेफर हाताळण्यासाठी एक प्रीमियम निवड. उच्च-शुद्धता Perfluoroalkoxy (PFA) सामग्रीपासून तयार केलेली, ही कॅसेट सेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनमध्ये सर्वात जास्त मागणी असलेल्या परिस्थितीला तोंड देण्यासाठी, तुमच्या वेफर्सची सुरक्षितता आणि अखंडता सुनिश्चित करण्यासाठी डिझाइन केलेली आहे.
अतुलनीय रासायनिक प्रतिकारदपीएफए कॅसेटरसायनांच्या विस्तृत श्रेणीला उत्कृष्ट प्रतिकार प्रदान करण्यासाठी अभियंता बनवले आहे, ज्यामुळे आक्रमक ऍसिड, सॉल्व्हेंट्स आणि इतर कठोर रसायने समाविष्ट असलेल्या प्रक्रियांसाठी ती योग्य निवड आहे. हे मजबूत रासायनिक प्रतिकार हे सुनिश्चित करते की कॅसेट अत्यंत संक्षारक वातावरणात देखील अखंड आणि कार्यशील राहते, ज्यामुळे त्याचे आयुष्य वाढते आणि वारंवार बदलण्याची आवश्यकता कमी होते.
उच्च-शुद्धता बांधकामसेमिसेरा चेपीएफए कॅसेटहे अल्ट्रा-प्युअर पीएफए मटेरियलपासून बनवले जाते, जे वेफर प्रक्रियेदरम्यान दूषित होण्यापासून रोखण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे. हे उच्च-शुद्धतेचे बांधकाम कण निर्मिती आणि रासायनिक लीचिंगचा धोका कमी करते, हे सुनिश्चित करते की तुमचे वेफर्स त्यांच्या गुणवत्तेशी तडजोड करू शकतील अशा अशुद्धतेपासून संरक्षित आहेत.
वर्धित टिकाऊपणा आणि कार्यप्रदर्शनटिकाऊपणासाठी डिझाइन केलेले, दपीएफए कॅसेटअत्यंत तापमान आणि कठोर प्रक्रिया परिस्थितीत त्याची संरचनात्मक अखंडता राखते. उच्च तापमानाच्या संपर्कात असो किंवा वारंवार हाताळणीच्या अधीन असो, ही कॅसेट त्याचा आकार आणि कार्यप्रदर्शन टिकवून ठेवते, मागणी असलेल्या उत्पादन वातावरणात दीर्घकालीन विश्वासार्हता देते.
सुरक्षित हाताळणीसाठी अचूक अभियांत्रिकीदसेमिसेरा पीएफए कॅसेटसुरक्षित आणि स्थिर वेफर हाताळणी सुनिश्चित करणारे अचूक अभियांत्रिकी वैशिष्ट्ये. प्रत्येक स्लॉट काळजीपूर्वक वेफर्स सुरक्षितपणे जागी ठेवण्यासाठी डिझाइन केले आहे, ज्यामुळे नुकसान होऊ शकते अशा कोणत्याही हालचाली किंवा स्थलांतराला प्रतिबंधित केले जाते. हे अचूक अभियांत्रिकी सातत्यपूर्ण आणि अचूक वेफर प्लेसमेंटचे समर्थन करते, एकूण प्रक्रियेच्या कार्यक्षमतेत योगदान देते.
प्रक्रियांमध्ये अष्टपैलू अनुप्रयोगत्याच्या उत्कृष्ट भौतिक गुणधर्मांबद्दल धन्यवाद, दपीएफए कॅसेटसेमीकंडक्टर फॅब्रिकेशनच्या विविध टप्प्यांवर वापरण्यासाठी पुरेसा अष्टपैलू आहे. हे विशेषतः ओले खोदकाम, रासायनिक वाफ जमा करणे (CVD) आणि कठोर रासायनिक वातावरणाचा समावेश असलेल्या इतर प्रक्रियांसाठी योग्य आहे. त्याची अनुकूलता प्रक्रिया अखंडता आणि वेफर गुणवत्ता राखण्यासाठी एक आवश्यक साधन बनवते.
गुणवत्ता आणि नवोपक्रमासाठी वचनबद्धतासेमिसेरा येथे, आम्ही सर्वोच्च उद्योग मानके पूर्ण करणारी उत्पादने प्रदान करण्यासाठी वचनबद्ध आहोत. दपीएफए कॅसेटया वचनबद्धतेचे उदाहरण देते, एक विश्वासार्ह समाधान ऑफर करते जे तुमच्या उत्पादन प्रक्रियेत अखंडपणे समाकलित होते. सेमिसेराकडून तुम्हाला अपेक्षित असलेली उत्कृष्टता वितरीत करून, आमच्या कठोर कार्यप्रदर्शन निकषांची पूर्तता करण्याची खात्री करण्यासाठी प्रत्येक कॅसेटवर कडक गुणवत्ता नियंत्रण असते.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |