-
सेमीकंडक्टर पॅकेजिंग प्रक्रिया गुणवत्ता नियंत्रणाचे मुख्य मुद्दे
सेमीकंडक्टर पॅकेजिंग प्रक्रियेतील गुणवत्ता नियंत्रणासाठी मुख्य मुद्दे सध्या, सेमीकंडक्टर पॅकेजिंगसाठी प्रक्रिया तंत्रज्ञान लक्षणीयरीत्या सुधारले आहे आणि ऑप्टिमाइझ केले आहे. तथापि, एकंदर दृष्टीकोनातून, सेमीकंडक्टर पॅकेजिंगसाठी प्रक्रिया आणि पद्धती अद्याप सर्वात परिपूर्ण पोहोचल्या नाहीत...अधिक वाचा -
सेमीकंडक्टर पॅकेजिंग प्रक्रियेतील आव्हाने
सेमीकंडक्टर पॅकेजिंगसाठी सध्याची तंत्रे हळूहळू सुधारत आहेत, परंतु सेमीकंडक्टर पॅकेजिंगमध्ये स्वयंचलित उपकरणे आणि तंत्रज्ञानाचा अवलंब किती प्रमाणात केला जातो हे थेट अपेक्षित परिणामांची प्राप्ती निश्चित करते. विद्यमान सेमीकंडक्टर पॅकेजिंग प्रक्रिया अजूनही ग्रस्त आहेत...अधिक वाचा -
सेमीकंडक्टर पॅकेजिंग प्रक्रियेचे संशोधन आणि विश्लेषण
सेमीकंडक्टर प्रक्रियेचे विहंगावलोकन सेमीकंडक्टर प्रक्रियेमध्ये प्रामुख्याने चिप्स आणि इतर घटकांना सब्सट्रेट्स आणि फ्रेम्स सारख्या विविध क्षेत्रांमध्ये पूर्णपणे जोडण्यासाठी मायक्रोफॅब्रिकेशन आणि फिल्म तंत्रज्ञान लागू करणे समाविष्ट असते. हे लीड टर्मिनल्स काढणे आणि इनकॅप्सुलेशन सुलभ करते ...अधिक वाचा -
सेमीकंडक्टर उद्योगातील नवीन ट्रेंड: संरक्षणात्मक कोटिंग तंत्रज्ञानाचा वापर
सेमीकंडक्टर उद्योग अभूतपूर्व वाढ पाहत आहे, विशेषत: सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सच्या क्षेत्रात. इलेक्ट्रिक वाहनांमधील SiC उपकरणांची वाढती मागणी पूर्ण करण्यासाठी अनेक मोठ्या प्रमाणातील वेफर फॅबचे बांधकाम किंवा विस्तार सुरू असताना, हे...अधिक वाचा -
SiC सब्सट्रेट्सच्या प्रक्रियेतील मुख्य टप्पे कोणते आहेत?
SiC सब्सट्रेट्ससाठी आम्ही कसे उत्पादन-प्रक्रिया चरणे खालीलप्रमाणे आहेत: 1. क्रिस्टल ओरिएंटेशन: क्रिस्टल इनगॉटला दिशा देण्यासाठी क्ष-किरण विवर्तन वापरणे. जेव्हा क्ष-किरण बीम इच्छित क्रिस्टल चेहर्यावर निर्देशित केला जातो, तेव्हा विखुरलेल्या बीमचा कोन क्रिस्टल ओरिएंट निश्चित करतो...अधिक वाचा -
एक महत्त्वाची सामग्री जी सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉनच्या वाढीची गुणवत्ता निर्धारित करते - थर्मल फील्ड
सिंगल क्रिस्टल सिलिकॉनची वाढ प्रक्रिया पूर्णपणे थर्मल फील्डमध्ये केली जाते. एक चांगले थर्मल फील्ड क्रिस्टल गुणवत्ता सुधारण्यासाठी अनुकूल आहे आणि उच्च क्रिस्टलीकरण कार्यक्षमता आहे. थर्मल फील्डची रचना मुख्यत्वे बदल आणि बदल ठरवते...अधिक वाचा -
एपिटॅक्सियल वाढ म्हणजे काय?
एपिटॅक्सियल ग्रोथ हे एक तंत्रज्ञान आहे जे एका क्रिस्टल सब्सट्रेटवर (सबस्ट्रेट) एकच क्रिस्टल थर वाढवते ज्यामध्ये सब्सट्रेट सारख्याच क्रिस्टल अभिमुखतेसह, जणू मूळ क्रिस्टल बाहेरच्या दिशेने वाढला आहे. हा नव्याने वाढलेला एकल क्रिस्टल थर c च्या संदर्भात सब्सट्रेटपेक्षा वेगळा असू शकतो...अधिक वाचा -
सब्सट्रेट आणि एपिटॅक्सीमध्ये काय फरक आहे?
वेफर तयार करण्याच्या प्रक्रियेत, दोन मुख्य दुवे आहेत: एक म्हणजे सब्सट्रेट तयार करणे आणि दुसरे म्हणजे एपिटॅक्सियल प्रक्रियेची अंमलबजावणी. सब्सट्रेट, सेमीकंडक्टर सिंगल क्रिस्टल मटेरियलपासून काळजीपूर्वक तयार केलेले वेफर, थेट वेफर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये ठेवले जाऊ शकते ...अधिक वाचा -
ग्रेफाइट हीटर्सच्या बहुमुखी वैशिष्ट्यांचे अनावरण
ग्रेफाइट हीटर्स त्यांच्या अपवादात्मक गुणधर्मांमुळे आणि अष्टपैलुत्वामुळे विविध उद्योगांमध्ये अपरिहार्य साधने म्हणून उदयास आले आहेत. प्रयोगशाळांपासून ते औद्योगिक सेटिंग्जपर्यंत, हे हीटर्स सामग्रीच्या संश्लेषणापासून विश्लेषणात्मक तंत्रांपर्यंतच्या प्रक्रियेत महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात. यामध्ये विविध...अधिक वाचा -
ड्राय एचिंग आणि वेट एचिंगचे फायदे आणि तोटे यांचे तपशीलवार स्पष्टीकरण
सेमीकंडक्टर मॅन्युफॅक्चरिंगमध्ये, सब्सट्रेट किंवा सब्सट्रेटवर तयार झालेल्या पातळ फिल्मच्या प्रक्रियेदरम्यान "एचिंग" नावाचे एक तंत्र आहे. इंटेलचे संस्थापक गॉर्डन मूर यांनी 1965 मध्ये "...अधिक वाचा -
सिलिकॉन कार्बाइड हीटर्सची उच्च थर्मल कार्यक्षमता आणि तारकीय स्थिरतेचे अनावरण
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) हीटर्स सेमीकंडक्टर उद्योगात थर्मल व्यवस्थापनात आघाडीवर आहेत. हा लेख SiC हीटर्सची अपवादात्मक थर्मल कार्यक्षमता आणि उल्लेखनीय स्थिरता एक्सप्लोर करतो, सेमीकॉनमध्ये इष्टतम कार्यप्रदर्शन आणि विश्वासार्हता सुनिश्चित करण्यात त्यांच्या महत्त्वपूर्ण भूमिकेवर प्रकाश टाकतो...अधिक वाचा -
सिलिकॉन कार्बाइड वेफर बोट्सची उच्च सामर्थ्य आणि उच्च कडकपणाची वैशिष्ट्ये शोधणे
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर बोट्स सेमीकंडक्टर उद्योगात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावतात, उच्च-गुणवत्तेच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांचे उत्पादन सुलभ करतात. हा लेख SiC वेफर बोट्सच्या उल्लेखनीय वैशिष्ट्यांचा शोध घेतो, त्यांच्या अपवादात्मक सामर्थ्य आणि कडकपणावर लक्ष केंद्रित करतो आणि त्यांचे चिन्ह हायलाइट करतो...अधिक वाचा