1. परिचय
आयन इम्प्लांटेशन ही इंटिग्रेटेड सर्किट मॅन्युफॅक्चरिंगमधील मुख्य प्रक्रिया आहे. हे आयन बीमला एका विशिष्ट उर्जेवर (सामान्यत: keV ते MeV च्या श्रेणीमध्ये) गती देण्याच्या प्रक्रियेस संदर्भित करते आणि नंतर सामग्रीच्या पृष्ठभागाचे भौतिक गुणधर्म बदलण्यासाठी घन पदार्थाच्या पृष्ठभागावर इंजेक्शन देते. एकात्मिक सर्किट प्रक्रियेत, घन पदार्थ हे सहसा सिलिकॉन असते आणि प्रत्यारोपित अशुद्धता आयन सहसा बोरॉन आयन, फॉस्फरस आयन, आर्सेनिक आयन, इंडियम आयन, जर्मेनियम आयन इ. असतात. प्रत्यारोपित आयन घन पदार्थाच्या पृष्ठभागाची चालकता बदलू शकतात. साहित्य किंवा PN जंक्शन तयार करा. जेव्हा एकात्मिक सर्किट्सचे वैशिष्ट्य आकार उप-मायक्रॉन युगात कमी केले गेले तेव्हा आयन रोपण प्रक्रिया मोठ्या प्रमाणावर वापरली गेली.
एकात्मिक सर्किट उत्पादन प्रक्रियेत, आयन रोपण सामान्यत: खोल दफन केलेले स्तर, रिव्हर्स डोपड विहिरी, थ्रेशोल्ड व्होल्टेज समायोजन, स्त्रोत आणि ड्रेन विस्तार रोपण, स्त्रोत आणि ड्रेन इम्प्लांटेशन, पॉलिसिलिकॉन गेट डोपिंग, पीएन जंक्शन आणि प्रतिरोधक तयार करण्यासाठी वापरले जाते. इन्सुलेटरवर सिलिकॉन सब्सट्रेट मटेरियल तयार करण्याच्या प्रक्रियेत, दफन केलेला ऑक्साईड थर मुख्यत्वे उच्च-सांद्रता ऑक्सिजन आयन रोपण करून तयार केला जातो किंवा उच्च-सांद्रता हायड्रोजन आयन रोपण करून बुद्धिमान कटिंग प्राप्त होते.
आयन इम्प्लांटेशन आयन इम्प्लांटरद्वारे केले जाते आणि त्याचे सर्वात महत्वाचे प्रक्रिया मापदंड म्हणजे डोस आणि ऊर्जा: डोस अंतिम एकाग्रता निर्धारित करते आणि ऊर्जा आयनांची श्रेणी (म्हणजे खोली) निर्धारित करते. भिन्न उपकरण डिझाइन आवश्यकतांनुसार, इम्प्लांटेशन परिस्थिती उच्च-डोस उच्च-ऊर्जा, मध्यम-डोस मध्यम-ऊर्जा, मध्यम-डोस कमी-ऊर्जा, किंवा उच्च-डोस कमी-ऊर्जा मध्ये विभागली गेली आहे. आदर्श रोपण प्रभाव प्राप्त करण्यासाठी, वेगवेगळ्या प्रक्रिया आवश्यकतांसाठी भिन्न रोपण करणारे सुसज्ज असले पाहिजेत.
आयन इम्प्लांटेशननंतर, आयन इम्प्लांटेशनमुळे होणारे जाळीचे नुकसान दुरुस्त करण्यासाठी आणि अशुद्धता आयन सक्रिय करण्यासाठी सामान्यत: उच्च-तापमान ॲनिलिंग प्रक्रियेतून जाणे आवश्यक आहे. पारंपारिक एकात्मिक सर्किट प्रक्रियेत, जरी ॲनिलिंग तापमानाचा डोपिंगवर मोठा प्रभाव पडतो, तरीही आयन इम्प्लांटेशन प्रक्रियेचे तापमान स्वतःच महत्त्वाचे नसते. 14nm पेक्षा कमी तंत्रज्ञानाच्या नोड्सवर, काही आयन रोपण प्रक्रिया कमी किंवा उच्च तापमानाच्या वातावरणात जाळीच्या नुकसानाचे परिणाम बदलण्यासाठी करणे आवश्यक आहे.
2. आयन रोपण प्रक्रिया
2.1 मूलभूत तत्त्वे
आयन इम्प्लांटेशन ही 1960 च्या दशकात विकसित झालेली डोपिंग प्रक्रिया आहे जी बहुतेक बाबींमध्ये पारंपारिक प्रसार तंत्रांपेक्षा श्रेष्ठ आहे.
आयन इम्प्लांटेशन डोपिंग आणि पारंपारिक प्रसार डोपिंगमधील मुख्य फरक खालीलप्रमाणे आहेत:
(1) डोप केलेल्या प्रदेशात अशुद्धता एकाग्रतेचे वितरण वेगळे आहे. आयन इम्प्लांटेशनची सर्वोच्च अशुद्धता एकाग्रता क्रिस्टलच्या आत असते, तर प्रसाराची सर्वोच्च अशुद्धता एकाग्रता क्रिस्टलच्या पृष्ठभागावर असते.
(२) आयन इम्प्लांटेशन ही खोलीच्या तापमानात किंवा अगदी कमी तापमानात चालणारी प्रक्रिया आहे आणि उत्पादन वेळ कमी आहे. डिफ्यूजन डोपिंगसाठी दीर्घ उच्च-तापमान उपचार आवश्यक आहेत.
(३) आयन रोपण प्रत्यारोपित घटकांची अधिक लवचिक आणि अचूक निवड करण्यास अनुमती देते.
(४) थर्मल प्रसरणामुळे अशुद्धतेवर परिणाम होत असल्याने, क्रिस्टलमधील आयन रोपणामुळे तयार होणारे तरंग क्रिस्टलमधील प्रसरणाने तयार होणाऱ्या तरंगरूपापेक्षा चांगले असतात.
(५) आयन इम्प्लांटेशन सहसा फोटोरेसिस्टचा वापर मुखवटा सामग्री म्हणून करते, परंतु प्रसार डोपिंगमध्ये मास्क म्हणून विशिष्ट जाडीच्या फिल्मची वाढ किंवा जमा करणे आवश्यक असते.
(६) आयन इम्प्लांटेशनने मुळात प्रसाराची जागा घेतली आहे आणि आज एकात्मिक सर्किट्सच्या निर्मितीमध्ये मुख्य डोपिंग प्रक्रिया बनली आहे.
जेव्हा एखादी घटना आयन बीम एका विशिष्ट उर्जेसह ठोस लक्ष्यावर (सामान्यतः वेफर) बॉम्बस्फोट करते, तेव्हा लक्ष्य पृष्ठभागावरील आयन आणि अणू विविध प्रकारच्या परस्परसंवादातून जातात आणि उत्तेजित करण्यासाठी किंवा आयनीकरण करण्यासाठी विशिष्ट मार्गाने लक्ष्य अणूंमध्ये ऊर्जा हस्तांतरित करतात. त्यांना संवेग हस्तांतरणाद्वारे आयन देखील विशिष्ट प्रमाणात ऊर्जा गमावू शकतात आणि शेवटी लक्ष्य अणूंद्वारे विखुरले जाऊ शकतात किंवा लक्ष्य सामग्रीमध्ये थांबू शकतात. जर इंजेक्ट केलेले आयन जास्त वजनदार असतील तर बहुतेक आयन घन लक्ष्यात इंजेक्ट केले जातील. याउलट, जर इंजेक्ट केलेले आयन हलके असतील, तर इंजेक्टेड आयनांपैकी बरेचसे लक्ष्य पृष्ठभागावरून उडी मारतील. मुळात, हे उच्च-ऊर्जेचे आयन लक्ष्यात टोचले जातात ते जाळीच्या अणूंशी आणि घन लक्ष्यातील इलेक्ट्रॉन्सशी वेगवेगळ्या प्रमाणात टक्कर घेतात. त्यापैकी, आयन आणि घन लक्ष्य अणू यांच्यातील टक्कर एक लवचिक टक्कर म्हणून ओळखली जाऊ शकते कारण ते वस्तुमानात जवळ आहेत.
2.2 आयन इम्प्लांटेशनचे मुख्य पॅरामीटर्स
आयन इम्प्लांटेशन ही एक लवचिक प्रक्रिया आहे जी कठोर चिप डिझाइन आणि उत्पादन आवश्यकता पूर्ण करणे आवश्यक आहे. महत्वाचे आयन इम्प्लांटेशन पॅरामीटर्स आहेत: डोस, श्रेणी.
डोस (डी) म्हणजे सिलिकॉन वेफर पृष्ठभागाच्या प्रति युनिट क्षेत्रफळावर, प्रति चौरस सेंटीमीटर (किंवा आयन प्रति चौरस सेंटीमीटर) अणूंमध्ये इंजेक्शन केलेल्या आयनांची संख्या. D ची गणना खालील सूत्राद्वारे केली जाऊ शकते:
जेथे डी इम्प्लांटेशन डोस आहे (आयनांची संख्या/युनिट क्षेत्र); टी ही रोपण वेळ आहे; मी बीम करंट आहे; q हा आयनद्वारे वाहून घेतलेला चार्ज आहे (एकच चार्ज 1.6×1019C[1]); आणि S हे रोपण क्षेत्र आहे.
सिलिकॉन वेफर उत्पादनामध्ये आयन इम्प्लांटेशन हे एक महत्त्वाचे तंत्रज्ञान बनण्याचे मुख्य कारण म्हणजे ते सिलिकॉन वेफर्समध्ये अशुद्धतेच्या समान डोसचे वारंवार रोपण करू शकते. इम्प्लांटर आयनांच्या सकारात्मक चार्जच्या मदतीने हे लक्ष्य साध्य करतो. जेव्हा सकारात्मक अशुद्धता आयन आयन बीम बनवतात, तेव्हा त्याच्या प्रवाह दराला आयन बीम करंट म्हणतात, जे mA मध्ये मोजले जाते. मध्यम आणि निम्न प्रवाहांची श्रेणी 0.1 ते 10 एमए आहे आणि उच्च प्रवाहांची श्रेणी 10 ते 25 एमए आहे.
आयन बीम करंटचे परिमाण हे डोस परिभाषित करण्यासाठी एक महत्त्वाचे चल आहे. वर्तमान वाढल्यास, प्रति युनिट वेळेत प्रत्यारोपित अशुद्धता अणूंची संख्या देखील वाढते. उच्च प्रवाह सिलिकॉन वेफर उत्पन्न वाढविण्यास अनुकूल आहे (प्रति युनिट उत्पादन वेळेत अधिक आयन इंजेक्ट करणे), परंतु यामुळे समानतेच्या समस्या देखील उद्भवतात.
3. आयन रोपण उपकरणे
3.1 मूलभूत रचना
आयन इम्प्लांटेशन उपकरणांमध्ये 7 मूलभूत मॉड्यूल समाविष्ट आहेत:
① आयन स्त्रोत आणि शोषक;
② वस्तुमान विश्लेषक (म्हणजे विश्लेषणात्मक चुंबक);
③ प्रवेगक ट्यूब;
④ स्कॅनिंग डिस्क;
⑤ इलेक्ट्रोस्टॅटिक तटस्थीकरण प्रणाली;
⑥ प्रक्रिया कक्ष;
⑦ डोस नियंत्रण प्रणाली.
All मॉड्यूल्स व्हॅक्यूम सिस्टमद्वारे स्थापित केलेल्या व्हॅक्यूम वातावरणात आहेत. आयन इम्प्लांटरचे मूलभूत संरचनात्मक आकृती खालील आकृतीमध्ये दर्शविली आहे.
(१)आयन स्त्रोत:
सामान्यतः सक्शन इलेक्ट्रोड सारख्याच व्हॅक्यूम चेंबरमध्ये. विद्युत क्षेत्राद्वारे नियंत्रित आणि गतिमान होण्यासाठी इंजेक्शनच्या प्रतीक्षेत असलेली अशुद्धता आयन स्थितीत असणे आवश्यक आहे. सर्वात सामान्यपणे वापरले जाणारे B+, P+, As+ इ. आयनीकरण अणू किंवा रेणूंद्वारे मिळवले जातात.
वापरलेले अशुद्धता स्त्रोत BF3, PH3 आणि AsH3 इ. आहेत आणि त्यांची रचना खालील चित्रात दर्शविली आहे. फिलामेंटद्वारे सोडलेले इलेक्ट्रॉन आयन तयार करण्यासाठी गॅस अणूंशी टक्कर देतात. इलेक्ट्रॉन्स सामान्यतः गरम टंगस्टन फिलामेंट स्त्रोताद्वारे तयार केले जातात. उदाहरणार्थ, बर्नर्स आयन स्त्रोत, कॅथोड फिलामेंट गॅस इनलेटसह आर्क चेंबरमध्ये स्थापित केले आहे. आर्क चेंबरची आतील भिंत एनोड आहे.
जेव्हा गॅस स्त्रोताचा परिचय केला जातो, तेव्हा एक मोठा प्रवाह फिलामेंटमधून जातो आणि सकारात्मक आणि नकारात्मक इलेक्ट्रोड्समध्ये 100 V चा व्होल्टेज लागू केला जातो, ज्यामुळे फिलामेंटभोवती उच्च-ऊर्जा इलेक्ट्रॉन तयार होतात. उच्च-ऊर्जा इलेक्ट्रॉन स्त्रोत वायूच्या रेणूंशी टक्कर घेतल्यानंतर सकारात्मक आयन तयार होतात.
आयनीकरण वाढवण्यासाठी आणि प्लाझ्मा स्थिर करण्यासाठी बाह्य चुंबक फिलामेंटच्या समांतर चुंबकीय क्षेत्र लागू करते. आर्क चेंबरमध्ये, फिलामेंटच्या सापेक्ष दुस-या टोकाला, एक नकारात्मक चार्ज केलेला परावर्तक असतो जो इलेक्ट्रॉनची निर्मिती आणि कार्यक्षमता सुधारण्यासाठी इलेक्ट्रॉन परत परावर्तित करतो.
(२)शोषण:
आयन स्त्रोताच्या आर्क चेंबरमध्ये तयार होणारे सकारात्मक आयन गोळा करण्यासाठी आणि आयन बीममध्ये तयार करण्यासाठी याचा वापर केला जातो. आर्क चेंबर हा एनोड असल्याने आणि सक्शन इलेक्ट्रोडवर कॅथोडचा नकारात्मक दबाव असल्याने, निर्माण होणारे विद्युत क्षेत्र सकारात्मक आयनांवर नियंत्रण ठेवते, ज्यामुळे ते सक्शन इलेक्ट्रोडकडे जातात आणि आयन स्लिटमधून बाहेर काढले जातात, खालील आकृतीमध्ये दर्शविल्याप्रमाणे . विद्युत क्षेत्राची ताकद जितकी जास्त असेल तितकी गतीज ऊर्जा प्रवेगानंतर आयनांना मिळते. प्लाझ्मामधील इलेक्ट्रॉन्सचा हस्तक्षेप टाळण्यासाठी सक्शन इलेक्ट्रोडवर एक सप्रेशन व्होल्टेज देखील आहे. त्याच वेळी, सप्रेशन इलेक्ट्रोड आयनांना आयन बीममध्ये बनवू शकते आणि त्यांना समांतर आयन बीम प्रवाहात केंद्रित करू शकते जेणेकरून ते इम्प्लांटरमधून जाईल.
(३)वस्तुमान विश्लेषक:
आयन स्त्रोतापासून अनेक प्रकारचे आयन तयार होऊ शकतात. एनोड व्होल्टेजच्या प्रवेग अंतर्गत, आयन उच्च वेगाने फिरतात. वेगवेगळ्या आयनांमध्ये भिन्न अणु द्रव्यमान एकके आणि भिन्न वस्तुमान-ते-चार्ज गुणोत्तर असतात.
(४)प्रवेगक ट्यूब:
उच्च गती प्राप्त करण्यासाठी, उच्च ऊर्जा आवश्यक आहे. एनोड आणि मास विश्लेषकाद्वारे प्रदान केलेल्या विद्युत क्षेत्राव्यतिरिक्त, प्रवेगक ट्यूबमध्ये प्रदान केलेले विद्युत क्षेत्र देखील प्रवेगासाठी आवश्यक आहे. प्रवेगक ट्यूबमध्ये डायलेक्ट्रिकद्वारे विलग केलेल्या इलेक्ट्रोडच्या मालिका असतात आणि मालिका कनेक्शनद्वारे इलेक्ट्रोडवरील नकारात्मक व्होल्टेज क्रमाने वाढते. एकूण व्होल्टेज जितका जास्त असेल तितका आयनांना मिळणारा वेग जास्त असेल, म्हणजेच ऊर्जा वाहून नेली जाईल. उच्च ऊर्जेमुळे अशुद्धता आयन सिलिकॉन वेफरमध्ये खोलवर टाकून खोल जंक्शन बनवता येतात, तर कमी ऊर्जेचा वापर उथळ जंक्शन बनवण्यासाठी केला जाऊ शकतो.
(५)स्कॅनिंग डिस्क
फोकस केलेला आयन बीम सामान्यतः व्यासाने खूप लहान असतो. मध्यम बीम करंट इम्प्लांटरचा बीम स्पॉट व्यास सुमारे 1 सेमी आहे आणि मोठ्या बीम करंट इम्प्लांटरचा व्यास सुमारे 3 सेमी आहे. संपूर्ण सिलिकॉन वेफर स्कॅनिंगद्वारे झाकलेले असणे आवश्यक आहे. डोस इम्प्लांटेशनची पुनरावृत्तीक्षमता स्कॅनिंगद्वारे निर्धारित केली जाते. सहसा, चार प्रकारच्या इम्प्लांटर स्कॅनिंग सिस्टम असतात:
① इलेक्ट्रोस्टॅटिक स्कॅनिंग;
② यांत्रिक स्कॅनिंग;
③ संकरित स्कॅनिंग;
④ समांतर स्कॅनिंग.
(६)स्थिर वीज तटस्थीकरण प्रणाली:
इम्प्लांटेशन प्रक्रियेदरम्यान, आयन बीम सिलिकॉन वेफरवर आदळतो आणि मुखवटाच्या पृष्ठभागावर चार्ज जमा होतो. परिणामी चार्ज जमा झाल्यामुळे आयन बीममधील चार्ज शिल्लक बदलते, ज्यामुळे बीम स्पॉट मोठा होतो आणि डोस वितरण असमान होते. ते पृष्ठभागावरील ऑक्साईडच्या थरातूनही फुटू शकते आणि डिव्हाइस अपयशी होऊ शकते. आता, सिलिकॉन वेफर आणि आयन बीम सामान्यत: स्थिर उच्च-घनता प्लाझ्मा वातावरणात ठेवले जातात ज्याला प्लाझ्मा इलेक्ट्रॉन शॉवर सिस्टम म्हणतात, जे सिलिकॉन वेफरचे चार्जिंग नियंत्रित करू शकते. ही पद्धत आयन बीम मार्गात आणि सिलिकॉन वेफरच्या जवळ असलेल्या आर्क चेंबरमध्ये प्लाझ्मा (सामान्यत: आर्गॉन किंवा झेनॉन) मधून इलेक्ट्रॉन काढते. प्लाझ्मा फिल्टर केला जातो आणि सकारात्मक चार्ज बेअसर करण्यासाठी फक्त दुय्यम इलेक्ट्रॉन सिलिकॉन वेफरच्या पृष्ठभागावर पोहोचू शकतात.
(७)प्रक्रिया पोकळी:
सिलिकॉन वेफर्समध्ये आयन बीमचे इंजेक्शन प्रक्रिया चेंबरमध्ये होते. स्कॅनिंग सिस्टीम, सिलिकॉन वेफर्स लोड आणि अनलोड करण्यासाठी व्हॅक्यूम लॉकसह टर्मिनल स्टेशन, सिलिकॉन वेफर ट्रान्सफर सिस्टम आणि कॉम्प्युटर कंट्रोल सिस्टमसह प्रोसेस चेंबर हा इम्प्लांटरचा एक महत्त्वाचा भाग आहे. याव्यतिरिक्त, डोसचे निरीक्षण करण्यासाठी आणि चॅनेल प्रभाव नियंत्रित करण्यासाठी काही उपकरणे आहेत. यांत्रिक स्कॅनिंग वापरल्यास, टर्मिनल स्टेशन तुलनेने मोठे असेल. प्रोसेस चेंबरचा व्हॅक्यूम मल्टी-स्टेज मेकॅनिकल पंप, टर्बोमॉलिक्युलर पंप आणि कंडेन्सेशन पंपद्वारे प्रक्रियेसाठी आवश्यक असलेल्या तळाच्या दाबावर पंप केला जातो, जो साधारणपणे 1×10-6Torr किंवा त्याहून कमी असतो.
(८)डोस नियंत्रण प्रणाली:
आयन इम्प्लांटरमध्ये रिअल-टाइम डोस मॉनिटरिंग सिलिकॉन वेफरपर्यंत पोहोचणारे आयन बीम मोजून पूर्ण केले जाते. आयन बीम करंट फॅराडे कप नावाच्या सेन्सरचा वापर करून मोजला जातो. साध्या फॅराडे सिस्टीममध्ये, आयन बीम मार्गामध्ये एक करंट सेन्सर असतो जो विद्युत प्रवाह मोजतो. तथापि, हे एक समस्या प्रस्तुत करते, कारण आयन बीम सेन्सरवर प्रतिक्रिया देतो आणि दुय्यम इलेक्ट्रॉन तयार करतो ज्यामुळे चुकीचे वर्तमान वाचन होईल. फॅराडे प्रणाली विद्युत किंवा चुंबकीय क्षेत्रे वापरून दुय्यम इलेक्ट्रॉन दाबू शकते खरी बीम वर्तमान वाचन प्राप्त करण्यासाठी. फॅराडे प्रणालीद्वारे मोजलेले विद्युत् प्रवाह इलेक्ट्रॉनिक डोस कंट्रोलरमध्ये दिले जाते, जे वर्तमान संचयक म्हणून कार्य करते (जो सतत मोजलेला बीम प्रवाह जमा करतो). एकूण विद्युत प्रवाह संबंधित रोपण वेळेशी संबंधित करण्यासाठी आणि विशिष्ट डोससाठी लागणारा वेळ मोजण्यासाठी नियंत्रकाचा वापर केला जातो.
3.2 नुकसान दुरुस्ती
आयन इम्प्लांटेशन जाळीच्या संरचनेतून अणू बाहेर काढेल आणि सिलिकॉन वेफर जाळीला नुकसान करेल. प्रत्यारोपित डोस मोठा असल्यास, प्रत्यारोपित थर अनाकार होईल. याव्यतिरिक्त, प्रत्यारोपित आयन मुळात सिलिकॉनच्या जाळीच्या बिंदूंवर कब्जा करत नाहीत, परंतु जाळीच्या अंतराच्या स्थितीत राहतात. या इंटरस्टिशियल अशुद्धता केवळ उच्च-तापमान ॲनिलिंग प्रक्रियेनंतर सक्रिय केल्या जाऊ शकतात.
जाळीतील दोष दुरुस्त करण्यासाठी एनीलिंग प्रत्यारोपित सिलिकॉन वेफर गरम करू शकते; ते अशुद्धता अणूंना जाळीच्या बिंदूंवर हलवू शकते आणि त्यांना सक्रिय करू शकते. जाळीतील दोष दुरुस्त करण्यासाठी आवश्यक तापमान सुमारे 500°C आहे, आणि अशुद्धता अणू सक्रिय करण्यासाठी आवश्यक तापमान सुमारे 950°C आहे. अशुद्धता सक्रिय करणे वेळ आणि तापमानाशी संबंधित आहे: जितका जास्त वेळ आणि तापमान जितके जास्त असेल तितकी अशुद्धता अधिक पूर्णपणे सक्रिय होते. सिलिकॉन वेफर्स ॲनिलिंग करण्यासाठी दोन मूलभूत पद्धती आहेत:
① उच्च-तापमान भट्टी ॲनिलिंग;
② रॅपिड थर्मल ॲनिलिंग (RTA).
उच्च तापमान फर्नेस ऍनिलिंग: उच्च तापमान भट्टी ऍनिलिंग ही एक पारंपारिक ऍनिलिंग पद्धत आहे, जी सिलिकॉन वेफरला 800-1000℃ पर्यंत गरम करण्यासाठी आणि 30 मिनिटे ठेवण्यासाठी उच्च तापमान भट्टीचा वापर करते. या तपमानावर, सिलिकॉनचे अणू परत जाळीच्या स्थितीत जातात आणि अशुद्धता अणू देखील सिलिकॉन अणूंची जागा घेऊ शकतात आणि जाळीमध्ये प्रवेश करू शकतात. तथापि, अशा तपमानावर आणि वेळेत उष्णतेच्या उपचारांमुळे अशुद्धतेचा प्रसार होईल, जे आधुनिक आयसी उत्पादन उद्योग पाहू इच्छित नाही.
रॅपिड थर्मल ॲनिलिंग: रॅपिड थर्मल ॲनिलिंग (आरटीए) सिलिकॉन वेफर्सवर अत्यंत जलद तापमान वाढ आणि लक्ष्य तापमान (सामान्यत: 1000 डिग्री सेल्सियस) कमी कालावधीसह हाताळते. प्रत्यारोपित सिलिकॉन वेफर्सचे एनीलिंग सामान्यतः एआर किंवा एन2 सह जलद थर्मल प्रोसेसरमध्ये केले जाते. जलद तापमान वाढीची प्रक्रिया आणि कमी कालावधी जाळीच्या दोषांची दुरुस्ती, अशुद्धता सक्रिय करणे आणि अशुद्धता प्रसार रोखणे इष्टतम करू शकते. RTA देखील क्षणिक वर्धित प्रसार कमी करू शकते आणि उथळ जंक्शन इम्प्लांटमध्ये जंक्शन खोली नियंत्रित करण्याचा सर्वोत्तम मार्ग आहे.
———————————————————————————————————————————————————— ———————————-
सेमिसेरा देऊ शकतातग्रेफाइट भाग, मऊ/कठोर वाटले, सिलिकॉन कार्बाइड भाग, CVD सिलिकॉन कार्बाइड भाग, आणिSiC/TaC लेपित भाग30 दिवसात.
तुम्हाला वरील सेमीकंडक्टर उत्पादनांमध्ये स्वारस्य असल्यास,कृपया प्रथमच आमच्याशी संपर्क साधण्यास अजिबात संकोच करू नका.
दूरध्वनी: +८६-१३३७३८८९६८३
WhatsAPP: +86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
पोस्ट वेळ: ऑगस्ट-31-2024