सेमिसेरा सादर करण्याचा अभिमान आहेGa2O3थर, पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्समध्ये क्रांती घडवून आणण्यासाठी तयार केलेली अत्याधुनिक सामग्री.गॅलियम ऑक्साइड (Ga2O3) थरत्यांच्या अल्ट्रा-वाइड बँडगॅपसाठी ओळखले जाते, ते उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी उपकरणांसाठी आदर्श बनवतात.
प्रमुख वैशिष्ट्ये:
• अल्ट्रा-वाइड बँडगॅप: Ga2O3 अंदाजे 4.8 eV चा बँडगॅप ऑफर करते, सिलिकॉन आणि GaN सारख्या पारंपारिक सामग्रीच्या तुलनेत उच्च व्होल्टेज आणि तापमान हाताळण्याची क्षमता लक्षणीयरीत्या वाढवते.
• उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेज: अपवादात्मक ब्रेकडाउन फील्डसह, दGa2O3थरउच्च-व्होल्टेज ऑपरेशन आवश्यक असलेल्या उपकरणांसाठी योग्य आहे, अधिक कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुनिश्चित करते.
• थर्मल स्टेबिलिटी: सामग्रीची उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता हे अत्यंत वातावरणातील अनुप्रयोगांसाठी योग्य बनवते, कठोर परिस्थितीतही कार्यप्रदर्शन राखते.
• अष्टपैलू ॲप्लिकेशन्स: उच्च-कार्यक्षमता पॉवर ट्रान्झिस्टर, यूव्ही ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे आणि बरेच काही वापरण्यासाठी आदर्श, प्रगत इलेक्ट्रॉनिक प्रणालींसाठी एक मजबूत पाया प्रदान करते.
Semicera's सह सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाच्या भविष्याचा अनुभव घ्याGa2O3थर. उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी इलेक्ट्रॉनिक्सच्या वाढत्या मागण्या पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेले, हे सब्सट्रेट कार्यप्रदर्शन आणि टिकाऊपणासाठी एक नवीन मानक सेट करते. तुमच्या सर्वात आव्हानात्मक अनुप्रयोगांसाठी नाविन्यपूर्ण उपाय वितरीत करण्यासाठी Semicera वर विश्वास ठेवा.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
