सेमिसेराअभिमानाने ऑफर करतोGa2O3एपिटॅक्सी, पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्सच्या सीमांना धक्का देण्यासाठी डिझाइन केलेले एक अत्याधुनिक समाधान. हे प्रगत एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञान गॅलियम ऑक्साईड (Ga2O3) मागणी असलेल्या अनुप्रयोगांमध्ये उत्कृष्ट कामगिरी प्रदान करण्यासाठी.
प्रमुख वैशिष्ट्ये:
• अपवादात्मक वाइड बँडगॅप: Ga2O3एपिटॅक्सीएक अल्ट्रा-वाइड बँडगॅप वैशिष्ट्यीकृत करते, ज्यामुळे उच्च-पॉवर वातावरणात उच्च ब्रेकडाउन व्होल्टेज आणि कार्यक्षम ऑपरेशन शक्य होते.
•उच्च थर्मल चालकता: एपिटॅक्सियल लेयर उत्कृष्ट थर्मल चालकता प्रदान करते, उच्च-तापमानाच्या परिस्थितीतही स्थिर ऑपरेशन सुनिश्चित करते, उच्च-फ्रिक्वेंसी उपकरणांसाठी ते आदर्श बनवते.
•उत्कृष्ट साहित्य गुणवत्ता: कमीत कमी दोषांसह उच्च क्रिस्टल गुणवत्ता प्राप्त करा, इष्टतम उपकरण कार्यप्रदर्शन आणि दीर्घायुष्य सुनिश्चित करा, विशेषत: पॉवर ट्रान्झिस्टर आणि यूव्ही डिटेक्टर सारख्या गंभीर अनुप्रयोगांमध्ये.
•अनुप्रयोगांमध्ये अष्टपैलुत्व: पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, RF ऍप्लिकेशन्स आणि ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्ससाठी पूर्णपणे अनुकूल, पुढील पिढीच्या सेमीकंडक्टर उपकरणांसाठी एक विश्वासार्ह पाया प्रदान करते.
ची क्षमता शोधाGa2O3एपिटॅक्सीसेमिसेरा च्या नाविन्यपूर्ण उपायांसह. आमची epitaxial उत्पादने गुणवत्ता आणि कार्यप्रदर्शनाच्या सर्वोच्च मानकांची पूर्तता करण्यासाठी डिझाइन केलेली आहेत, ज्यामुळे तुमची उपकरणे जास्तीत जास्त कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हतेसह ऑपरेट करू शकतात. अत्याधुनिक सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानासाठी सेमिसेरा निवडा.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
