ॲटोमिक लेयर डिपॉझिशन (ALD) हे एक रासायनिक वाष्प जमा करण्याचे तंत्रज्ञान आहे जे दोन किंवा अधिक पूर्ववर्ती रेणूंना वैकल्पिकरित्या इंजेक्शन देऊन पातळ फिल्म्सचा थर थर थर वाढवते. ALD मध्ये उच्च नियंत्रणक्षमता आणि एकसमानतेचे फायदे आहेत आणि ते सेमीकंडक्टर उपकरणे, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणे, ऊर्जा साठवण उपकरणे आणि इतर क्षेत्रांमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाऊ शकतात. ALD च्या मूलभूत तत्त्वांमध्ये पूर्वसूचक शोषण, पृष्ठभागाची प्रतिक्रिया आणि उप-उत्पादन काढून टाकणे समाविष्ट आहे आणि एका चक्रात या चरणांची पुनरावृत्ती करून बहु-स्तर सामग्री तयार केली जाऊ शकते. ALD मध्ये उच्च नियंत्रणक्षमता, एकसमानता आणि सच्छिद्र नसलेल्या संरचनेची वैशिष्ट्ये आणि फायदे आहेत आणि ते विविध प्रकारचे सब्सट्रेट सामग्री आणि विविध सामग्री जमा करण्यासाठी वापरले जाऊ शकतात.
ALD मध्ये खालील वैशिष्ट्ये आणि फायदे आहेत:
1. उच्च नियंत्रणक्षमता:ALD ही थर-दर-लेयर वाढीची प्रक्रिया असल्याने, सामग्रीच्या प्रत्येक थराची जाडी आणि रचना तंतोतंत नियंत्रित केली जाऊ शकते.
2. एकरूपता:ALD इतर डिपॉझिशन तंत्रज्ञानामध्ये उद्भवू शकणारी असमानता टाळून, संपूर्ण सब्सट्रेट पृष्ठभागावर समान रीतीने सामग्री जमा करू शकते.
3. सच्छिद्र नसलेली रचना:ALD एकल अणू किंवा एकल रेणूंच्या युनिट्समध्ये जमा केल्यामुळे, परिणामी फिल्ममध्ये सहसा दाट, छिद्र नसलेली रचना असते.
4. चांगली कव्हरेज कामगिरी:ALD प्रभावीपणे उच्च गुणोत्तर संरचना, जसे की नॅनोपोर ॲरे, उच्च सच्छिद्र सामग्री इ. कव्हर करू शकते.
5. स्केलेबिलिटी:धातू, अर्धसंवाहक, काच इत्यादींसह विविध सब्सट्रेट सामग्रीसाठी ALD चा वापर केला जाऊ शकतो.
6. अष्टपैलुत्व:वेगवेगळे पूर्ववर्ती रेणू निवडून, एएलडी प्रक्रियेत मेटल ऑक्साईड्स, सल्फाइड्स, नायट्राइड्स इत्यादी विविध पदार्थ जमा करता येतात.
