सेमिसेराची ओळख करून देते850V हाय पॉवर GaN-ऑन-Si Epi Wafer, सेमीकंडक्टर इनोव्हेशन मध्ये एक प्रगती. हे प्रगत एपी वेफर गॅलियम नायट्राइड (GaN) च्या उच्च कार्यक्षमतेला सिलिकॉन (Si) च्या किमती-प्रभावशीलतेसह एकत्रित करते, उच्च-व्होल्टेज अनुप्रयोगांसाठी एक शक्तिशाली उपाय तयार करते.
प्रमुख वैशिष्ट्ये:
•उच्च व्होल्टेज हाताळणी: 850V पर्यंत सपोर्ट करण्यासाठी अभियंता असलेले, हे GaN-on-Si Epi Wafer उच्च कार्यक्षमता आणि कार्यप्रदर्शन सक्षम करून पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सची मागणी करण्यासाठी आदर्श आहे.
•वर्धित पॉवर घनता: उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि थर्मल चालकता सह, GaN तंत्रज्ञान कॉम्पॅक्ट डिझाइन आणि वाढीव पॉवर डेन्सिटीसाठी परवानगी देते.
•खर्च-प्रभावी उपाय: सिलिकॉनचा सब्सट्रेट म्हणून उपयोग करून, हे एपी वेफर गुणवत्ता किंवा कार्यक्षमतेशी तडजोड न करता, पारंपारिक GaN वेफर्सला स्वस्त-प्रभावी पर्याय देते.
•विस्तृत अनुप्रयोग श्रेणी: पॉवर कन्व्हर्टर, RF ॲम्प्लिफायर आणि इतर उच्च-शक्ती इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांमध्ये वापरण्यासाठी योग्य, विश्वासार्हता आणि टिकाऊपणा सुनिश्चित करते.
Semicera's सह उच्च-व्होल्टेज तंत्रज्ञानाचे भविष्य एक्सप्लोर करा850V हाय पॉवर GaN-ऑन-Si Epi Wafer. अत्याधुनिक अनुप्रयोगांसाठी डिझाइन केलेले, हे उत्पादन सुनिश्चित करते की तुमची इलेक्ट्रॉनिक उपकरणे जास्तीत जास्त कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हतेसह कार्य करतात. तुमच्या पुढील पिढीच्या सेमीकंडक्टर गरजांसाठी सेमिसेरा निवडा.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
