सेमिसेरा चे 8 इंच N-प्रकार SiC वेफर्स सेमीकंडक्टर इनोव्हेशनमध्ये आघाडीवर आहेत, जे उच्च-कार्यक्षमता असलेल्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासासाठी एक ठोस आधार प्रदान करतात. हे वेफर्स पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्सपासून ते उच्च-फ्रिक्वेंसी सर्किट्सपर्यंत आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांच्या कठोर मागण्या पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत.
या SiC वेफर्समधील एन-टाइप डोपिंग त्यांची विद्युत चालकता वाढवते, ज्यामुळे ते पॉवर डायोड, ट्रान्झिस्टर आणि ॲम्प्लिफायर्ससह विस्तृत अनुप्रयोगांसाठी आदर्श बनतात. उत्कृष्ट चालकता कमीत कमी ऊर्जेची हानी आणि कार्यक्षम ऑपरेशन सुनिश्चित करते, जे उच्च फ्रिक्वेन्सी आणि पॉवर लेव्हलवर कार्यरत असलेल्या उपकरणांसाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
सेमिसेरा अपवादात्मक पृष्ठभागाची एकसमानता आणि कमीतकमी दोषांसह SiC वेफर्स तयार करण्यासाठी प्रगत उत्पादन तंत्र वापरते. एरोस्पेस, ऑटोमोटिव्ह आणि दूरसंचार उद्योगांसारख्या सातत्यपूर्ण कार्यप्रदर्शन आणि टिकाऊपणा आवश्यक असलेल्या अनुप्रयोगांसाठी ही अचूकता आवश्यक आहे.
तुमच्या उत्पादन लाइनमध्ये सेमिसेरा चे 8 इंच N-प्रकार SiC वेफर्स समाविष्ट केल्याने कठोर वातावरण आणि उच्च तापमानाला तोंड देऊ शकतील असे घटक तयार करण्यासाठी पाया मिळतो. हे वेफर्स पॉवर कन्व्हर्जन, आरएफ तंत्रज्ञान आणि इतर मागणी असलेल्या फील्डमधील अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत.
सेमिसेरा चे 8 इंच N-प्रकार SiC वेफर्स निवडणे म्हणजे अचूक अभियांत्रिकीसह उच्च-गुणवत्तेच्या भौतिक विज्ञानाची जोड देणाऱ्या उत्पादनामध्ये गुंतवणूक करणे. सेमिसेरा सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाची क्षमता वाढवण्यासाठी वचनबद्ध आहे, तुमच्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांची कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता वाढवणारे उपाय ऑफर करते.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |