सेमिसेरा चे 6 इंच सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC वेफर्स आधुनिक सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाच्या कठोर मागण्या पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत. अपवादात्मक शुद्धता आणि सुसंगततेसह, हे वेफर्स उच्च-कार्यक्षमतेचे इलेक्ट्रॉनिक घटक विकसित करण्यासाठी एक विश्वासार्ह पाया म्हणून काम करतात.
हे HPSI SiC वेफर्स त्यांच्या उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि इलेक्ट्रिकल इन्सुलेशनसाठी ओळखले जातात, जे पॉवर उपकरणे आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी सर्किट्सचे कार्यप्रदर्शन अनुकूल करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहेत. अर्ध-इन्सुलेट गुणधर्म विद्युत हस्तक्षेप कमी करण्यात आणि उपकरणाची कार्यक्षमता वाढविण्यात मदत करतात.
सेमिसेराद्वारे नियोजित उच्च-गुणवत्तेची उत्पादन प्रक्रिया सुनिश्चित करते की प्रत्येक वेफरमध्ये एकसमान जाडी आणि कमीतकमी पृष्ठभाग दोष आहेत. रेडिओ फ्रिक्वेन्सी डिव्हाइसेस, पॉवर इनव्हर्टर आणि LED सिस्टीम यांसारख्या प्रगत अनुप्रयोगांसाठी ही अचूकता आवश्यक आहे, जेथे कार्यक्षमता आणि टिकाऊपणा हे महत्त्वाचे घटक आहेत.
अत्याधुनिक उत्पादन तंत्राचा फायदा घेऊन, सेमिसेरा वेफर्स प्रदान करते जे केवळ उद्योग मानकांची पूर्तता करत नाहीत तर त्यापेक्षा जास्त आहेत. 6-इंचाचा आकार अर्धसंवाहक क्षेत्रातील संशोधन आणि व्यावसायिक अनुप्रयोगांसाठी उत्पादन वाढवण्यासाठी लवचिकता प्रदान करतो.
Semicera चे 6 इंच सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC वेफर्स निवडणे म्हणजे सातत्यपूर्ण गुणवत्ता आणि कार्यप्रदर्शन प्रदान करणाऱ्या उत्पादनामध्ये गुंतवणूक करणे. हे वेफर्स नाविन्यपूर्ण साहित्य आणि सूक्ष्म कारागिरीच्या माध्यमातून सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाची क्षमता वाढवण्याच्या सेमिसेराच्या वचनबद्धतेचा भाग आहेत.
वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
पॉलीटाइप | 4H | ||
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
यांत्रिक मापदंड | |||
व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
जाडी | 350±25 μm | ||
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
रचना | |||
मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
समोरची गुणवत्ता | |||
समोर | Si | ||
पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
परत गुणवत्ता | |||
परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
काठ | |||
काठ | चांफर | ||
पॅकेजिंग | |||
पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. |