सेमिसेरा चे 6 इंच एन-टाइप SiC वेफर सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये आघाडीवर आहे. इष्टतम कामगिरीसाठी तयार केलेले, हे वेफर उच्च-शक्ती, उच्च-फ्रिक्वेंसी आणि उच्च-तापमान अनुप्रयोगांमध्ये उत्कृष्ट आहे, प्रगत इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी आवश्यक आहे.
आमच्या 6 इंच एन-टाइप SiC वेफरमध्ये उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता आणि कमी ऑन-रेझिस्टन्स आहे, जे MOSFETs, डायोड्स आणि इतर घटकांसारख्या पॉवर उपकरणांसाठी महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर्स आहेत. हे गुणधर्म कार्यक्षम ऊर्जा रूपांतरण आणि कमी उष्णता निर्मिती सुनिश्चित करतात, इलेक्ट्रॉनिक प्रणालींचे कार्यप्रदर्शन आणि आयुर्मान वाढवतात.
Semicera च्या कठोर गुणवत्ता नियंत्रण प्रक्रिया प्रत्येक SiC वेफर उत्कृष्ट पृष्ठभाग सपाटपणा आणि कमीतकमी दोष राखतात याची खात्री करतात. तपशिलाकडे हे बारकाईने लक्ष देणे हे सुनिश्चित करते की आमचे वेफर्स ऑटोमोटिव्ह, एरोस्पेस आणि दूरसंचार यांसारख्या उद्योगांच्या कठोर आवश्यकता पूर्ण करतात.
त्याच्या उत्कृष्ट विद्युत गुणधर्मांव्यतिरिक्त, एन-टाइप SiC वेफर मजबूत थर्मल स्थिरता आणि उच्च तापमानास प्रतिकार देते, जे पारंपारिक साहित्य अयशस्वी होऊ शकते अशा वातावरणासाठी ते आदर्श बनवते. ही क्षमता विशेषतः उच्च-फ्रिक्वेंसी आणि उच्च-शक्ती ऑपरेशन्स समाविष्ट असलेल्या अनुप्रयोगांमध्ये मौल्यवान आहे.
सेमिसेरा चे 6 इंच N-प्रकार SiC Wafer निवडून, तुम्ही सेमीकंडक्टर इनोव्हेशनच्या शिखराचे प्रतिनिधित्व करणाऱ्या उत्पादनात गुंतवणूक करत आहात. विविध उद्योगांमधील आमच्या भागीदारांना त्यांच्या तांत्रिक प्रगतीसाठी सर्वोत्कृष्ट साहित्यात प्रवेश मिळेल याची खात्री करून आम्ही अत्याधुनिक उपकरणांसाठी बिल्डिंग ब्लॉक्स प्रदान करण्यासाठी वचनबद्ध आहोत.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||






