4″ 6″ उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC इनगॉट

सेमिसेरा चे 4”6” उच्च शुद्धतेचे सेमी-इन्सुलेटिंग SiC इनगॉट्स सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या अचूक मानकांची पूर्तता करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत. शुद्धता आणि सुसंगततेवर लक्ष केंद्रित करून हे इनगॉट्स तयार केले जातात, ज्यामुळे ते उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी ऍप्लिकेशन्ससाठी एक आदर्श पर्याय बनतात जेथे कार्यप्रदर्शन सर्वोपरि आहे.

उच्च थर्मल चालकता आणि उत्कृष्ट विद्युत प्रतिरोधकता यासह या SiC इनगॉट्सचे अद्वितीय गुणधर्म त्यांना पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि मायक्रोवेव्ह उपकरणांमध्ये वापरण्यासाठी विशेषतः अनुकूल करतात. त्यांच्या अर्ध-इन्सुलेट स्वभावामुळे प्रभावी उष्णतेचा अपव्यय आणि कमीतकमी विद्युत हस्तक्षेप होऊ शकतो, ज्यामुळे अधिक कार्यक्षम आणि विश्वासार्ह घटक बनतात.

सेमिसेरा अपवादात्मक क्रिस्टल गुणवत्ता आणि एकसमानतेसह इनगॉट्स तयार करण्यासाठी अत्याधुनिक उत्पादन प्रक्रिया वापरते. ही अचूकता हे सुनिश्चित करते की उच्च-फ्रिक्वेंसी ॲम्प्लिफायर्स, लेसर डायोड आणि इतर ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसारख्या संवेदनशील अनुप्रयोगांमध्ये प्रत्येक पिंड विश्वसनीयपणे वापरला जाऊ शकतो.

4-इंच आणि 6-इंच दोन्ही आकारात उपलब्ध, सेमिसेरा चे SiC इनगॉट्स विविध उत्पादन स्केल आणि तांत्रिक आवश्यकतांसाठी आवश्यक लवचिकता प्रदान करतात. संशोधन आणि विकास असो किंवा मोठ्या प्रमाणावर उत्पादन असो, आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक प्रणालींना आवश्यक असलेली कार्यक्षमता आणि टिकाऊपणा हे इंगोट्स देतात.

Semicera च्या उच्च शुद्धता सेमी-इन्सुलेटिंग SiC Ingots निवडून, तुम्ही उत्पादनामध्ये गुंतवणूक करत आहात जे अतुलनीय उत्पादन कौशल्यासह प्रगत भौतिक विज्ञानाची जोड देते. सेमिसेरा सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या नवकल्पना आणि वाढीस समर्थन देण्यासाठी समर्पित आहे, अत्याधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासास सक्षम करणारी सामग्री ऑफर करते.