4 इंच SiC सब्सट्रेट N-प्रकार

संक्षिप्त वर्णन:

सेमिसेरा 4H-8H SiC वेफर्सची विस्तृत श्रेणी ऑफर करते. अनेक वर्षांपासून, आम्ही सेमीकंडक्टर आणि फोटोव्होल्टेइक उद्योगांना उत्पादनांचे निर्माता आणि पुरवठादार आहोत. आमच्या मुख्य उत्पादनांमध्ये हे समाविष्ट आहे: सिलिकॉन कार्बाइड इच प्लेट्स, सिलिकॉन कार्बाइड बोट ट्रेलर, सिलिकॉन कार्बाइड वेफर बोट्स (पीव्ही आणि सेमीकंडक्टर), सिलिकॉन कार्बाइड फर्नेस ट्यूब्स, सिलिकॉन कार्बाइड कॅन्टीलेव्हर पॅडल्स, सिलिकॉन कार्बाइड चक्स, सिलिकॉन कार्बाइड वेल आणि सीडीसी बीम, सिलिकॉन कार्बाइड वेल. TaC कोटिंग्ज. बहुतेक युरोपियन आणि अमेरिकन मार्केट कव्हर. आम्ही चीनमध्ये तुमचा दीर्घकालीन भागीदार असण्याची अपेक्षा करतो.

आम्हाला ईमेल पाठवा

उत्पादन तपशील

उत्पादन टॅग

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) सिंगल क्रिस्टल मटेरियलमध्ये मोठ्या बँड गॅप रुंदी (~Si 3 वेळा), उच्च थर्मल चालकता (~Si 3.3 पट किंवा GaAs 10 पट), उच्च इलेक्ट्रॉन संपृक्तता स्थलांतर दर (~Si 2.5 पट), उच्च ब्रेकडाउन इलेक्ट्रिक फील्ड (~Si 10 वेळा किंवा GaAs 5 वेळा) आणि इतर उत्कृष्ट वैशिष्ट्ये.

सेमिसेरा ऊर्जा ग्राहकांना उच्च-गुणवत्तेचे प्रवाहकीय (वाहक), अर्ध-इन्सुलेटिंग (सेमी-इन्सुलेटिंग), HPSI (उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग) सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट प्रदान करू शकते; याव्यतिरिक्त, आम्ही ग्राहकांना एकसंध आणि विषम सिलिकॉन कार्बाइड एपिटॅक्सियल शीट्स प्रदान करू शकतो; आम्ही ग्राहकांच्या विशिष्ट गरजांनुसार एपिटॅक्सियल शीट देखील सानुकूलित करू शकतो आणि ऑर्डरची किमान मात्रा नाही.

वस्तू	उत्पादन	संशोधन	डमी
क्रिस्टल पॅरामीटर्स
पॉलीटाइप	4H
पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी	<11-20 >4±0.15°
इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स
डोपंट	n-प्रकार नायट्रोजन
प्रतिरोधकता	0.015-0.025ohm·cm
यांत्रिक मापदंड
व्यासाचा	99.5 - 100 मिमी
जाडी	350±25 μm
प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता	[१-१००]±५°
प्राथमिक सपाट लांबी	३२.५±१.५ मिमी
दुय्यम सपाट स्थिती	प्राथमिक फ्लॅट ±5° पासून 90° CW. सिलिकॉन चेहरा
दुय्यम सपाट लांबी	18±1.5 मिमी
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	NA
धनुष्य	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
ताना	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
रचना
मायक्रोपाईप घनता	≤1 ea/cm2	≤5 ea/cm2	≤10 ea/cm2
धातूची अशुद्धता	≤5E10 अणू/cm2		NA
बीपीडी	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	NA
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	NA
समोरची गुणवत्ता
समोर	Si
पृष्ठभाग समाप्त	सी-फेस सीएमपी
कण	≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm)	NA
ओरखडे	≤2ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास	संचयी लांबी≤2*व्यास	NA
संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता	काहीही नाही		NA
एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स	काहीही नाही		NA
पॉलीटाइप क्षेत्रे	काहीही नाही	संचयी क्षेत्र≤20%	संचयी क्षेत्र≤30%
फ्रंट लेसर मार्किंग	काहीही नाही
परत गुणवत्ता
परत समाप्त	सी-फेस सीएमपी
ओरखडे	≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास	NA
मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट)	काहीही नाही
मागे उग्रपणा	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
मागे लेसर मार्किंग	1 मिमी (वरच्या काठावरुन)
काठ
काठ	चांफर
पॅकेजिंग
पॅकेजिंग	आतील पिशवी नायट्रोजनने भरलेली असते आणि बाहेरची पिशवी व्हॅक्यूम केलेली असते. मल्टी-वेफर कॅसेट, एपि-रेडी.
*नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात.