सेमिसेरा चे 4 इंच N-प्रकार SiC सबस्ट्रेट्स सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या अचूक मानकांची पूर्तता करण्यासाठी तयार केले आहेत. हे सबस्ट्रेट्स इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगांच्या विस्तृत श्रेणीसाठी उच्च-कार्यक्षमता पाया प्रदान करतात, अपवादात्मक चालकता आणि थर्मल गुणधर्म ऑफर करतात.
या SiC सब्सट्रेट्सचे N-प्रकार डोपिंग त्यांची विद्युत चालकता वाढवते, ज्यामुळे ते उच्च-शक्ती आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी अनुप्रयोगांसाठी विशेषतः योग्य बनतात. ही मालमत्ता डायोड, ट्रान्झिस्टर आणि ॲम्प्लिफायर्स सारख्या उपकरणांच्या कार्यक्षमतेने कार्य करण्यास अनुमती देते, जेथे उर्जेची हानी कमी करणे महत्वाचे आहे.
प्रत्येक सब्सट्रेट उत्कृष्ट पृष्ठभागाची गुणवत्ता आणि एकसमानता प्रदर्शित करते याची खात्री करण्यासाठी सेमिसेरा अत्याधुनिक उत्पादन प्रक्रियेचा वापर करते. पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स, मायक्रोवेव्ह उपकरणे आणि अत्यंत परिस्थितीत विश्वसनीय कार्यप्रदर्शनाची मागणी करणाऱ्या इतर तंत्रज्ञानातील अनुप्रयोगांसाठी ही अचूकता महत्त्वपूर्ण आहे.
सेमिसेरा चे एन-टाइप SiC सबस्ट्रेट्स तुमच्या उत्पादन लाइनमध्ये समाविष्ट करणे म्हणजे उत्कृष्ट उष्णता नष्ट करणे आणि विद्युत स्थिरता प्रदान करणाऱ्या सामग्रीचा फायदा घेणे. हे सबस्ट्रेट्स पॉवर कन्व्हर्जन सिस्टीम आणि आरएफ ॲम्प्लिफायर्स सारखे टिकाऊपणा आणि कार्यक्षमता आवश्यक असलेले घटक तयार करण्यासाठी आदर्श आहेत.
सेमिसेरा चे 4 इंच एन-टाइप SiC सबस्ट्रेट्स निवडून, तुम्ही अशा उत्पादनात गुंतवणूक करत आहात ज्यात नवनवीन भौतिक विज्ञान आणि सूक्ष्म कारागिरीची जोड आहे. सेमिसेरा अत्याधुनिक सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानाच्या विकासास समर्थन देणारी, उच्च कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुनिश्चित करणारे उपाय प्रदान करून उद्योगाचे नेतृत्व करत आहे.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
