सेमिसेरा चे 4 इंच हाय प्युरिटी सेमी-इन्सुलेटिंग (HPSI) SiC डबल-साइड पॉलिश वेफर सबस्ट्रेट्स सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या अचूक मागणी पूर्ण करण्यासाठी तयार केले आहेत. हे सबस्ट्रेट्स अपवादात्मक सपाटपणा आणि शुद्धतेसह डिझाइन केलेले आहेत, अत्याधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांसाठी एक इष्टतम प्लॅटफॉर्म ऑफर करतात.
हे HPSI SiC वेफर्स त्यांच्या उत्कृष्ट थर्मल चालकता आणि इलेक्ट्रिकल इन्सुलेशन गुणधर्मांद्वारे ओळखले जातात, ज्यामुळे ते उच्च-फ्रिक्वेंसी आणि उच्च-शक्ती अनुप्रयोगांसाठी उत्कृष्ट पर्याय बनतात. दुहेरी बाजूची पॉलिशिंग प्रक्रिया पृष्ठभागावर किमान खडबडीतपणा सुनिश्चित करते, जी डिव्हाइसची कार्यक्षमता आणि दीर्घायुष्य वाढविण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे.
Semicera च्या SiC वेफर्सची उच्च शुद्धता दोष आणि अशुद्धता कमी करते, ज्यामुळे उच्च उत्पादन दर आणि उपकरणाची विश्वासार्हता वाढते. हे सबस्ट्रेट्स मायक्रोवेव्ह उपकरणे, पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि LED तंत्रज्ञानासह विस्तृत अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहेत, जेथे अचूकता आणि टिकाऊपणा आवश्यक आहे.
नावीन्य आणि गुणवत्तेवर लक्ष केंद्रित करून, सेमिसेरा आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्सच्या कठोर आवश्यकता पूर्ण करणारे वेफर्स तयार करण्यासाठी प्रगत उत्पादन तंत्राचा वापर करते. दुहेरी बाजूचे पॉलिशिंग केवळ यांत्रिक शक्ती सुधारत नाही तर इतर सेमीकंडक्टर सामग्रीसह चांगले एकत्रीकरण देखील करते.
सेमिसेरा चे 4 इंच उच्च शुद्धता सेमी-इन्सुलेटिंग HPSI SiC डबल-साइड पॉलिश वेफर सबस्ट्रेट्स निवडून, उत्पादक वर्धित थर्मल व्यवस्थापन आणि इलेक्ट्रिकल इन्सुलेशनचे फायदे घेऊ शकतात, ज्यामुळे अधिक कार्यक्षम आणि शक्तिशाली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासाचा मार्ग मोकळा होईल. सेमिसेरा गुणवत्ता आणि तांत्रिक प्रगतीच्या वचनबद्धतेसह उद्योगाचे नेतृत्व करत आहे.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
