Semicera 3C-SiC वेफर सबस्ट्रेट्स पुढील पिढीच्या पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स आणि उच्च-फ्रिक्वेंसी उपकरणांसाठी एक मजबूत प्लॅटफॉर्म प्रदान करण्यासाठी इंजिनिअर केले आहेत. उत्कृष्ट थर्मल गुणधर्म आणि इलेक्ट्रिकल वैशिष्ट्यांसह, हे सब्सट्रेट्स आधुनिक तंत्रज्ञानाच्या मागणीच्या गरजा पूर्ण करण्यासाठी डिझाइन केलेले आहेत.
सेमिसेरा वेफर सबस्ट्रेट्सची 3C-SiC (क्यूबिक सिलिकॉन कार्बाइड) रचना अद्वितीय फायदे देते, ज्यामध्ये उच्च थर्मल चालकता आणि इतर सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या तुलनेत कमी थर्मल विस्तार गुणांक यांचा समावेश आहे. हे त्यांना अत्यंत तापमान आणि उच्च-शक्तीच्या परिस्थितीत कार्यरत असलेल्या उपकरणांसाठी उत्कृष्ट पर्याय बनवते.
उच्च इलेक्ट्रिकल ब्रेकडाउन व्होल्टेज आणि उच्च रासायनिक स्थिरतेसह, सेमिसेरा 3C-SiC वेफर सबस्ट्रेट्स दीर्घकाळ टिकणारी कामगिरी आणि विश्वासार्हता सुनिश्चित करतात. हे गुणधर्म उच्च-फ्रिक्वेंसी रडार, सॉलिड-स्टेट लाइटिंग आणि पॉवर इनव्हर्टर यांसारख्या अनुप्रयोगांसाठी महत्त्वपूर्ण आहेत, जेथे कार्यक्षमता आणि टिकाऊपणा सर्वोपरि आहे.
सेमिसेराची गुणवत्तेशी बांधिलकी त्यांच्या 3C-SiC वेफर सबस्ट्रेट्सच्या सूक्ष्म उत्पादन प्रक्रियेत दिसून येते, प्रत्येक बॅचमध्ये एकसमानता आणि सातत्य सुनिश्चित करते. ही अचूकता त्यांच्यावर बांधलेल्या इलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या एकूण कार्यक्षमतेत आणि दीर्घायुष्यात योगदान देते.
Semicera 3C-SiC वेफर सबस्ट्रेट्स निवडून, उत्पादक अत्याधुनिक सामग्रीमध्ये प्रवेश मिळवतात जे लहान, वेगवान आणि अधिक कार्यक्षम इलेक्ट्रॉनिक घटकांचा विकास करण्यास सक्षम करते. सेमिसेरा सेमीकंडक्टर उद्योगाच्या विकसनशील मागण्या पूर्ण करणारे विश्वसनीय उपाय प्रदान करून तांत्रिक नवकल्पना समर्थन देत आहे.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||






