सेमिसेरा चे10x10mm नॉनपोलर एम-प्लेन ॲल्युमिनियम सब्सट्रेटप्रगत ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक ऍप्लिकेशन्सच्या अचूक आवश्यकता पूर्ण करण्यासाठी काळजीपूर्वक डिझाइन केलेले आहे. या सब्सट्रेटमध्ये नॉनपोलर एम-प्लेन ओरिएंटेशन आहे, जे LEDs आणि लेसर डायोड सारख्या उपकरणांमध्ये ध्रुवीकरण प्रभाव कमी करण्यासाठी महत्त्वपूर्ण आहे, ज्यामुळे वर्धित कार्यक्षमता आणि कार्यक्षमता वाढते.
द10x10mm नॉनपोलर एम-प्लेन ॲल्युमिनियम सब्सट्रेटअपवादात्मक स्फटिकासारखे गुणवत्तेसह तयार केले आहे, कमीतकमी दोष घनता आणि उत्कृष्ट संरचनात्मक अखंडता सुनिश्चित करते. हे उच्च-गुणवत्तेच्या III-नायट्राइड फिल्म्सच्या एपिटॅक्सियल वाढीसाठी एक आदर्श पर्याय बनवते, जे पुढील पिढीच्या ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणांच्या विकासासाठी आवश्यक आहेत.
सेमिसेरा चे अचूक अभियांत्रिकी हे सुनिश्चित करते की प्रत्येक10x10mm नॉनपोलर एम-प्लेन ॲल्युमिनियम सब्सट्रेटसुसंगत जाडी आणि पृष्ठभाग सपाटपणा देते, जे एकसमान फिल्म डिपॉझिशन आणि डिव्हाइस फॅब्रिकेशनसाठी महत्त्वपूर्ण आहेत. याव्यतिरिक्त, सब्सट्रेटचा कॉम्पॅक्ट आकार संशोधन आणि उत्पादन वातावरण दोन्हीसाठी योग्य बनवतो, विविध अनुप्रयोगांमध्ये लवचिक वापरासाठी परवानगी देतो. उत्कृष्ट थर्मल आणि रासायनिक स्थिरतेसह, हे सब्सट्रेट अत्याधुनिक ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक तंत्रज्ञानाच्या विकासासाठी एक विश्वासार्ह पाया प्रदान करते.
| वस्तू | उत्पादन | संशोधन | डमी |
| क्रिस्टल पॅरामीटर्स | |||
| पॉलीटाइप | 4H | ||
| पृष्ठभाग अभिमुखता त्रुटी | <11-20 >4±0.15° | ||
| इलेक्ट्रिकल पॅरामीटर्स | |||
| डोपंट | n-प्रकार नायट्रोजन | ||
| प्रतिरोधकता | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| यांत्रिक मापदंड | |||
| व्यासाचा | 150.0±0.2 मिमी | ||
| जाडी | 350±25 μm | ||
| प्राथमिक फ्लॅट अभिमुखता | [१-१००]±५° | ||
| प्राथमिक सपाट लांबी | ४७.५±१.५ मिमी | ||
| दुय्यम फ्लॅट | काहीही नाही | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| धनुष्य | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| ताना | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| समोरचा (सि-फेस) उग्रपणा (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| रचना | |||
| मायक्रोपाईप घनता | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| धातूची अशुद्धता | ≤5E10 अणू/cm2 | NA | |
| बीपीडी | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| समोरची गुणवत्ता | |||
| समोर | Si | ||
| पृष्ठभाग समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| कण | ≤60ea/वेफर (आकार≥0.3μm) | NA | |
| ओरखडे | ≤5ea/मिमी. संचयी लांबी ≤ व्यास | संचयी लांबी≤2*व्यास | NA |
| संत्र्याची साल/खड्डे/डाग/दाग/विवरे/दूषितता | काहीही नाही | NA | |
| एज चिप्स/इंडेंट्स/फ्रॅक्चर/हेक्स प्लेट्स | काहीही नाही | ||
| पॉलीटाइप क्षेत्रे | काहीही नाही | संचयी क्षेत्र≤20% | संचयी क्षेत्र≤30% |
| फ्रंट लेसर मार्किंग | काहीही नाही | ||
| परत गुणवत्ता | |||
| परत समाप्त | सी-फेस सीएमपी | ||
| ओरखडे | ≤5ea/mm, संचयी लांबी≤2*व्यास | NA | |
| मागील दोष (एज चिप्स/इंडेंट) | काहीही नाही | ||
| मागे उग्रपणा | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| मागे लेसर मार्किंग | 1 मिमी (वरच्या काठावरुन) | ||
| काठ | |||
| काठ | चांफर | ||
| पॅकेजिंग | |||
| पॅकेजिंग | व्हॅक्यूम पॅकेजिंगसह एपी-तयार मल्टी-वेफर कॅसेट पॅकेजिंग | ||
| *नोट्स: "NA" म्हणजे विनंती नाही, उल्लेख न केलेल्या बाबी SEMI-STD चा संदर्भ घेऊ शकतात. | |||
